Volumen del mercado de Memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de China Industria
Período de Estudio | 2019 - 2029 |
Año Base Para Estimación | 2023 |
Período de Datos Pronosticados | 2024 - 2029 |
Período de Datos Históricos | 2019 - 2022 |
CAGR | 3.95 % |
Concentración del Mercado | Bajo |
Jugadores Principales*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial |
¿Necesita un informe que refleje la manera en la que el COVID-19 ha impactado en este mercado y su crecimiento?
Análisis de mercado de la memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de China
El mercado chino de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM) está valorado en 20.990 millones de dólares en el año en curso. Se espera que registre una CAGR de alrededor del 3,95%, alcanzando los USD 26,46 mil millones al final del período de pronóstico. A medida que los consumidores de hoy en día requieren sistemas de almacenamiento de datos seguros con capacidades cada vez mayores debido a la creciente adopción de comunicaciones modernas y tecnologías digitales avanzadas, la demanda de soluciones de memoria avanzadas como DRAM está creciendo
- DRAM, o memoria dinámica de acceso aleatorio, es un tipo específico de RAM (memoria de acceso aleatorio) que se adopta ampliamente en computadoras de escritorio, portátiles y otros sistemas informáticos modernos. La DRAM actúa como un banco de memoria temporal para una computadora donde se almacenan datos para un acceso rápido y a corto plazo, ya que son significativamente más rápidos que los dispositivos de almacenamiento como los SSD.
- China es uno de los principales consumidores de DRAM, ya que el país ha sido testigo de un rápido crecimiento de la infraestructura en los últimos años, lo que ha mejorado significativamente la penetración de tecnologías digitales avanzadas y dispositivos informáticos. Según la Oficina Nacional de Estadísticas de China, la participación del comercio electrónico en las ventas minoristas totales de bienes de consumo en China alcanzó el 27,2% en 2022. El crecimiento del comercio electrónico ha tenido un impacto positivo en la adopción de dispositivos informáticos.
- La creciente tasa de urbanización también está influyendo positivamente en el crecimiento del mercado en China, ya que ha aumentado significativamente la demanda de dispositivos informáticos móviles como teléfonos inteligentes, tabletas y computadoras portátiles. Dado que el gobierno se centra en aumentar aún más la tasa de urbanización, se prevé que la demanda de estos productos crezca, lo que creará una demanda de DRAM. Por ejemplo, según la Oficina Nacional de Estadísticas de China, aproximadamente el 65,2% de la población total de China vivía en ciudades en 2022.
- La industria de TI y centros de datos también está floreciendo en el país en medio de la creciente cantidad de datos generados cada año. Por ejemplo, la Comisión Nacional de Desarrollo y Reforma de China (NDRC, por sus siglas en inglés) ha dado a conocer recientemente sus planes para establecer otros cuatro megaclústeres de centros de datos en todo el país. Tales tendencias también favorecen el crecimiento del mercado estudiado en el país.
- Sin embargo, las limitaciones técnicas de la DRAM, como una potencia más alta que la SRAM porque sus condensadores deben recargarse con frecuencia para mantener su carga, se encuentran entre los principales factores que desafían el crecimiento del mercado estudiado en el país. Además, la disputa comercial entre Estados Unidos y China está creando barreras para el desarrollo del mercado de DRAM en China.
- Se observó un impacto notable del brote de COVID-19 en el mercado. Por el contrario, el brote inicial tuvo un impacto perjudicial en el crecimiento debido a las interrupciones de la cadena de suministro y la producción causadas por los confinamientos en varias regiones. Sin embargo, se espera que el mercado crezca en el período posterior a COVID debido al crecimiento de la demanda en las principales industrias de usuarios finales y la aparición de actores locales en el panorama de fabricación de DRAM.