Cuotas de Mercado. de Memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de China Industria
El dinámico mercado de memorias de acceso aleatorio en China es competitivo y está dominado por actores establecidos. Aunque el mercado está siendo testigo de la aparición de nuevos actores, especialmente locales, se espera que los actores globales continúen dominando el mercado por ahora. Los proveedores están adoptando varias estrategias, incluidos el desarrollo de nuevos productos, asociaciones, fusiones y adquisiciones, para expandir aún más su presencia en el mercado. Algunos actores clave del mercado incluyen Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., Sk hynix Inc. y ChangXin Memory Technologies Inc
- Mayo de 2023 - SK hynix, uno de los principales fabricantes de DRAM, anunció la expansión de sus procesos heredados en su fábrica de Wuxi, China, en lugar de pasar a procesos de producción más avanzados centrados en productos DDR3 y DDR4 de 4 Gb, debido a la prohibición impuesta en Estados Unidos a los equipos de fabricación de semiconductores en el país.
- Julio de 2022 - Samsung, proveedor líder de chips DRAM en China y en todo el mundo, desarrolló un nuevo chip de memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) de gráficos con eficiencia energética mejorada y mayor velocidad. Según la compañía, el Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) de 24 gigabits cuenta con una velocidad de procesamiento de datos que es más de un 30% más rápida que los productos existentes y adopta la tecnología de tercera generación de 10 nanómetros.
Líderes del mercado de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) de China
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Samsung Electronics Co. Ltd
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Micron Technology Inc.
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SK Hynix Inc.
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ChangXin Memory Technologies, Inc.
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Winbond Electronics (Suzhou) Limited
*Nota aclaratoria: los principales jugadores no se ordenaron de un modo en especial
