SRAM-Marktgrößen- und Anteilsanalyse – Wachstumstrends und -prognosen (2024 – 2029)

Der Bericht befasst sich mit der globalen Marktanalyse für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) und ist nach Produkttyp (Asynchroner SRAM, Pseudo-SRAM (PSRAM), Synchroner SRAM), Endbenutzer (Unterhaltungselektronik, Kommunikation, Automobil) und Geografie segmentiert.

Marktgröße für statische Direktzugriffsspeicher

Marktanalyse für statische Direktzugriffsspeicher

Der Markt für statische Direktzugriffsspeicher verzeichnete im Prognosezeitraum 2021–2026 eine jährliche Wachstumsrate von -1,96 %.

  • Die Nachfrage nach Elektronikkomponenten im Bereich Unterhaltungselektronik sowie Mikrocontrollern, eingebetteten Systemen, programmierbaren Geräten und anwendungsspezifischen ICs im Industrie- und Wissenschaftsbereich, der Automobilindustrie, der Luft- und Raumfahrtindustrie sowie der Life-Science-Industrie ist insgesamt kontinuierlich gestiegen.
  • Das Wachstum dieser Branche, gepaart mit technologischen Fortschritten und einer verbesserten Infrastruktur, hat sich direkt auf die Nachfrage nach mehreren Komponenten ausgewirkt, die als Bausteine ​​solcher Systeme verwendet werden. SRAM war ein ähnliches Segment, das vom Wachstum in der Elektronikindustrie betroffen war.
  • In der ersten Rolle dient der SRAM als Cache-Speicher und stellt eine Schnittstelle zwischen DRAMs und der CPU dar. Derzeit haben die meisten SRAM-Hersteller beim Level-3-Cache Halt gemacht. AMD hat ein Patent für die Verwendung von HBM (High Bandwidth Memory) als L4-Cache angemeldet. Die Idee der Nutzung wird von Branchenexperten immer noch diskutiert, da der L4-Cache auf einem Chip noch nicht vorgestellt wurde.
  • Laut Branchenexperten ist SRAM weiterhin eine Notwendigkeit auf dem Markt. Die Eigenschaften der Fin-Feldeffekttransistoren (FinFET) sind selbst für Chips mit 10 nm und weniger gut geblieben. Anbieter investieren erheblich, indem sie die Dichteeffizienz verbessern und ein Gerät mit reduziertem Stromverbrauch anbieten.

Branchenüberblick über statische Direktzugriffsspeicher

Der Markt für statische Direktzugriffsspeicher ist stark fragmentiert, da der Markt hart umkämpft ist und aus mehreren großen Akteuren besteht. Die Wettbewerbskonkurrenz in dieser Branche hängt in erster Linie vom nachhaltigen Wettbewerbsvorteil durch Innovation, dem Grad der Marktdurchdringung und der Stärke der Wettbewerbsstrategie ab. SRAM-Anbieter investieren erheblich, um effizientere Formen von SRAM-Technologien zu entwickeln. Beispielsweise integrieren OEM-Hersteller kompaktere Formen von Technologien in ihre Produktangebote und fordern kompakte SRAM-Module für ihre jeweiligen Produktangebote.

  • April 2019 – Cypress Semiconductor Corp. gab bekannt, dass es seine Joint-Venture-Transaktion mit SK Hynix System IC, Inc. abgeschlossen hat, die am 25. Oktober 2018 bekannt gegeben wurde. Alle behördlichen Genehmigungen wurden abgeschlossen und das Joint Venture, SkyHigh Memory Limited, hat nun vollständig begonnen Operationen.

Marktführer für statische Direktzugriffsspeicher

  1. Renesas Electronics Corporation

  2. STMicroelectronics N.V.

  3. Toshiba Corporation

  4. Cypress Semiconductor

  5. Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)

  6. *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktbericht für statische Direktzugriffsspeicher – Inhaltsverzeichnis

1. EINFÜHRUNG

  • 1.1 Studienergebnisse
  • 1.2 Studienannahmen
  • 1.3 Umfang der Studie

2. FORSCHUNGSMETHODIK

3. ZUSAMMENFASSUNG

4. MARKTDYNAMIK

  • 4.1 Marktübersicht
  • 4.2 Einführung in Markttreiber und -beschränkungen
  • 4.3 Marktführer
    • 4.3.1 Neue leistungsstarke Netzwerkanwendungen
    • 4.3.2 Steigende Nachfrage nach schnelleren Cache-Speichern
  • 4.4 Marktbeschränkungen
    • 4.4.1 Vergleichsweise hohe Kosten und Stromverbrauch in bestimmten Anwendungsfällen
  • 4.5 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
  • 4.6 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
    • 4.6.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
    • 4.6.2 Verhandlungsmacht von Käufern/Verbrauchern
    • 4.6.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
    • 4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
    • 4.6.5 Wettberbsintensität
  • 4.7 Bewertung der Auswirkungen von Covid-19 auf die Branche

5. MARKTSEGMENTIERUNG

  • 5.1 Funktion
    • 5.1.1 Asynchroner SRAM
    • 5.1.2 Synchrones SRAM
  • 5.2 Produktart
    • 5.2.1 Pseudo-SRAM (PSRAM)
    • 5.2.2 Nichtflüchtiger SRAM (nvSRAM)
    • 5.2.3 Andere Produkttypen
  • 5.3 Endbenutzer
    • 5.3.1 Unterhaltungselektronik
    • 5.3.2 Industriell
    • 5.3.3 Kommunikationssektor
    • 5.3.4 Andere Endbenutzer
  • 5.4 Erdkunde
    • 5.4.1 Nordamerika
    • 5.4.2 Europa
    • 5.4.3 Asien-Pazifik
    • 5.4.4 Lateinamerika
    • 5.4.5 Naher Osten und Afrika

6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT

  • 6.1 Firmenprofile
    • 6.1.1 Cypress Semiconductor Corporation
    • 6.1.2 Integrated Silicon Solution Inc. (ISSI)
    • 6.1.3 GSI Technology Inc.
    • 6.1.4 Integrated Device Technology Inc.
    • 6.1.5 Samsung Electronics Co. Ltd
    • 6.1.6 Toshiba Corporation
    • 6.1.7 STMicroelectronics NV
    • 6.1.8 Renesas Electronics Corporation

7. INVESTITIONSANALYSE

8. MARKTCHANCEN UND ZUKÜNFTIGE TRENDS

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Branchensegmentierung für statische Direktzugriffsspeicher

SRAM (statisches RAM) ist ein Direktzugriffsspeicher (RAM), der Datenbits in seinem Speicher behält, solange Strom anliegt. Im Gegensatz zum dynamischen RAM (DRAM), das Bits in Zellen speichert, die aus einem Kondensator und einem Transistor bestehen, muss SRAM nicht regelmäßig aktualisiert werden. Statischer RAM bietet einen schnelleren Zugriff auf Daten und ist teurer als DRAM.

Funktion Asynchroner SRAM
Synchrones SRAM
Produktart Pseudo-SRAM (PSRAM)
Nichtflüchtiger SRAM (nvSRAM)
Andere Produkttypen
Endbenutzer Unterhaltungselektronik
Industriell
Kommunikationssektor
Andere Endbenutzer
Erdkunde Nordamerika
Europa
Asien-Pazifik
Lateinamerika
Naher Osten und Afrika
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für statische Direktzugriffsspeicher

Wie groß ist der Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) derzeit?

Der Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 1 % verzeichnen.

Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM)?

Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics N.V., Toshiba Corporation, Cypress Semiconductor, Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) tätig sind.

Welches ist die am schnellsten wachsende Region im Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM)?

Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.

Welche Region hat den größten Anteil am Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM)?

Im Jahr 2024 hat der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil im Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM).

Welche Jahre deckt dieser Markt für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) ab?

Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für statische Direktzugriffsspeicher (SRAM) für die Jahre 2024, 2025, 2026 , 2027, 2028 und 2029.

Branchenbericht über statische Direktzugriffsspeicher

Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von statischen Direktzugriffsspeichern im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse des statischen Direktzugriffsspeichers umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.

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