Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter Marktgröße

Marktanalyse für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter

Die Marktgröße für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter wird im Jahr 2024 auf 2,18 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2029 6,73 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 25,24 % im Prognosezeitraum (2024–2029) entspricht

Der Ausbruch der Pandemie führte weltweit zu wirtschaftlichen Turbulenzen in kleinen, mittleren und großen Industriezweigen. Zu den Problemen kam noch hinzu, dass die landesweiten Lockdowns, die von den Regierungen auf der ganzen Welt verhängt wurden (um die Ausbreitung des Virus einzudämmen), darüber hinaus dazu führten, dass Industrien weltweit einen Schlag erlitten und die Lieferketten und Produktionsabläufe unterbrochen wurden Die Fertigung umfasst die Arbeit in der Fabrikhalle, wo Menschen in engem Kontakt stehen und zusammenarbeiten, um die Produktivität zu steigern

• SiC (Siliziumkarbid) wird aufgrund der großen Bandlücke für Hochleistungsanwendungen verwendet. Obwohl es verschiedene Polytypen (Polymorphe) von SiC gibt, eignet sich 4H-SiC am besten für Leistungsgeräte. Es wird erwartet, dass die Zunahme der FE-Aktivitäten, die auf verbesserte Materialfähigkeiten abzielen, einen starken Impuls für das Marktwachstum geben wird. Beispielsweise hat die Advanced Research Projects AgencyEnergy (ARPA-E) des US-Energieministeriums (DOE) eine Finanzierung von 30 Millionen US-Dollar für 21 Projekte im Rahmen des Programms Creating Innovative and Reliable Circuits Using Inventive Topologies and Semiconductors (CIRCUITS) angekündigt. Auch Initiativen wie die Investition des US-amerikanischen Energieministeriums in NREL-geführte Forschung mit dem Ziel, die Herstellungskosten für SiC-Leistungselektronik zu senken, könnten solche Trends weiter unterstützen und den Anwendungsbereich robusterer SiC-basierter Geräte erweitern.
• Elektrofahrzeuge bieten in der Automobilindustrie bestimmte Vorteile, wie z. B. eine längere Reichweite, Ladezeit und Leistung, um die Erwartungen der Kunden zu erfüllen. Sie erfordern jedoch leistungselektronische Geräte, die bei erhöhten Temperaturen effizient und effektiv arbeiten können. Daher werden Leistungsmodule mithilfe von SiC-Technologien mit großer Bandlücke entwickelt.
• Elektroautos sind heutzutage immer häufiger auf der Straße unterwegs, die Preise sinken und die Reichweite steigt. Laut dem Bericht Global EV Outlook 2021 der Internationalen Energieagentur waren im Jahr 2020 über 10,2 Millionen leichte Elektro-Pkw auf den Straßen. Darüber hinaus stieg die Zulassung von Elektroautos im Jahr 2020 um 41 %, was Wachstumschancen für den Markt schafft.
• Halbleiter verwenden SiC auch für geringere Energieverluste und eine längere Lebensdauer von Solar- und Windenergiewandlern. Beispielsweise erfordert Photovoltaik hauptsächlich hohe Leistung, geringe Verluste, schnelleres Schalten und zuverlässige Halbleiterbauelemente, um Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu erhöhen. Somit stellen SiC-Geräte eine vielversprechende Lösung für den Energiebedarf der Photovoltaik dar, um den steigenden Energiebedarf zu decken.
• Um das Potenzial der Cleantech-Nachfrage zu nutzen, steigen mehrere Akteure in den Markt für SiC-Leistungshalbleiter ein. So gab beispielsweise die NoMIS Power Group, ein Spin-off des State University of New York Polytechnic Institute (SUNY Poly), im April 2021 bekannt, dass sie die Entwicklung, Herstellung und den Verkauf von SiC-Leistungshalbleitergeräten, -modulen und -dienstleistungen für deren Bereitstellung plant Unterstützung für Entwickler von Energiemanagementprodukten.
• Darüber hinaus werden parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten zu groß, sobald hohe Frequenzen verwendet werden, sodass das Leistungsgerät auf SiC-Basis nicht sein volles Potenzial entfalten kann. In dieser Hinsicht kann eine weit verbreitete Verwendung von SiC eine Modernisierung der Produktionsanlagen erforderlich machen, was bei der derzeitigen Entwicklungsgeschwindigkeit nicht möglich ist.