Marktgröße für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Marktgröße (2024) | USD 2.18 Billion |
| Marktgröße (2029) | USD 6.73 Billion |
| CAGR (2024 - 2029) | 25.24 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Asien-Pazifik |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
Wie können wir helfen?
Marktanalyse für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Die Marktgröße für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter wird im Jahr 2024 auf 2,18 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2029 6,73 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 25,24 % im Prognosezeitraum (2024–2029) entspricht.
Der Ausbruch der Pandemie führte weltweit zu wirtschaftlichen Turbulenzen in kleinen, mittleren und großen Industriezweigen. Zu den Problemen kam noch hinzu, dass die landesweiten Lockdowns, die von den Regierungen auf der ganzen Welt verhängt wurden (um die Ausbreitung des Virus einzudämmen), darüber hinaus dazu führten, dass Industrien weltweit einen Schlag erlitten und die Lieferketten und Produktionsabläufe unterbrochen wurden Die Fertigung umfasst die Arbeit in der Fabrikhalle, wo Menschen in engem Kontakt stehen und zusammenarbeiten, um die Produktivität zu steigern.
- SiC (Siliziumkarbid) wird aufgrund der großen Bandlücke für Hochleistungsanwendungen verwendet. Obwohl es verschiedene Polytypen (Polymorphe) von SiC gibt, eignet sich 4H-SiC am besten für Leistungsgeräte. Es wird erwartet, dass die Zunahme der FE-Aktivitäten, die auf verbesserte Materialfähigkeiten abzielen, einen starken Impuls für das Marktwachstum geben wird. Beispielsweise hat die Advanced Research Projects AgencyEnergy (ARPA-E) des US-Energieministeriums (DOE) eine Finanzierung von 30 Millionen US-Dollar für 21 Projekte im Rahmen des Programms Creating Innovative and Reliable Circuits Using Inventive Topologies and Semiconductors (CIRCUITS) angekündigt. Auch Initiativen wie die Investition des US-amerikanischen Energieministeriums in NREL-geführte Forschung mit dem Ziel, die Herstellungskosten für SiC-Leistungselektronik zu senken, könnten solche Trends weiter unterstützen und den Anwendungsbereich robusterer SiC-basierter Geräte erweitern.
- Elektrofahrzeuge bieten in der Automobilindustrie bestimmte Vorteile, wie z. B. eine längere Reichweite, Ladezeit und Leistung, um die Erwartungen der Kunden zu erfüllen. Sie erfordern jedoch leistungselektronische Geräte, die bei erhöhten Temperaturen effizient und effektiv arbeiten können. Daher werden Leistungsmodule mithilfe von SiC-Technologien mit großer Bandlücke entwickelt.
- Elektroautos sind heutzutage immer häufiger auf der Straße unterwegs, die Preise sinken und die Reichweite steigt. Laut dem Bericht Global EV Outlook 2021 der Internationalen Energieagentur waren im Jahr 2020 über 10,2 Millionen leichte Elektro-Pkw auf den Straßen. Darüber hinaus stieg die Zulassung von Elektroautos im Jahr 2020 um 41 %, was Wachstumschancen für den Markt schafft.
- Halbleiter verwenden SiC auch für geringere Energieverluste und eine längere Lebensdauer von Solar- und Windenergiewandlern. Beispielsweise erfordert Photovoltaik hauptsächlich hohe Leistung, geringe Verluste, schnelleres Schalten und zuverlässige Halbleiterbauelemente, um Effizienz, Leistungsdichte und Zuverlässigkeit zu erhöhen. Somit stellen SiC-Geräte eine vielversprechende Lösung für den Energiebedarf der Photovoltaik dar, um den steigenden Energiebedarf zu decken.
- Um das Potenzial der Cleantech-Nachfrage zu nutzen, steigen mehrere Akteure in den Markt für SiC-Leistungshalbleiter ein. So gab beispielsweise die NoMIS Power Group, ein Spin-off des State University of New York Polytechnic Institute (SUNY Poly), im April 2021 bekannt, dass sie die Entwicklung, Herstellung und den Verkauf von SiC-Leistungshalbleitergeräten, -modulen und -dienstleistungen für deren Bereitstellung plant Unterstützung für Entwickler von Energiemanagementprodukten.
- Darüber hinaus werden parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten zu groß, sobald hohe Frequenzen verwendet werden, sodass das Leistungsgerät auf SiC-Basis nicht sein volles Potenzial entfalten kann. In dieser Hinsicht kann eine weit verbreitete Verwendung von SiC eine Modernisierung der Produktionsanlagen erforderlich machen, was bei der derzeitigen Entwicklungsgeschwindigkeit nicht möglich ist.
Markttrends für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Für die Automobilindustrie wird ein deutliches Wachstum erwartet
- Derzeit werden Forschungsaktivitäten zur Verwendung von Siliziumkarbid (SiC)-Geräten in Antriebssträngen von Kraftfahrzeugen durchgeführt. Aufgrund der jüngsten Fortschritte wird es jedoch allmählich zu einer praktikablen Lösung. Beispielsweise verwendet Tesla, das eine Schnellladelösung nutzt, bereits SiC in seinen Fahrzeugarchitekturen. Darüber hinaus sind Elektroautos heutzutage immer häufiger auf der Straße unterwegs, da die Preise sinken und die Reichweite steigt. Nach Angaben der Internationalen Energieagentur erreichten die weltweiten Verkäufe von Plug-in-Elektro-Leichtfahrzeugen im Jahr 2021 rund 6,6 Millionen.
- SiC-Halbleiter eignen sich ideal für Anwendungen wie Bordladegeräte und Wechselrichter, die in Plug-in-Hybriden (PHEV) und vollelektrischen Fahrzeugen (EVs) eingesetzt werden. Denn ihre Energieeffizienz ist im Vergleich zu herkömmlichem Silizium deutlich höher.
- Um sicherzustellen, dass Elektrofahrzeuge über große Entfernungen fahren und innerhalb eines angemessenen Zeitrahmens aufgeladen werden können, muss die Leistungselektronik des Fahrzeugs außerdem hohen Temperaturen standhalten können. SiC-Halbleiter profitieren von einer Energieeffizienz von über 95 %. Bei der Stromumwandlung, beispielsweise beim Aufladen des Fahrzeugs mit einem Hochleistungs-Schnellladegerät, gehen nur 5 % der Energie als Wärme verloren.
- In Japan arbeitet die Universität Tokio mit der Mitsubishi Electric Corporation zusammen, um die Zuverlässigkeit von SiC-Halbleiterbauelementen zu verbessern. Zuvor hatte Mitsubishi Electric einen neuen ultrakompakten SiC-Wechselrichter für Hybridfahrzeuge vorgestellt, dessen Massenvermarktung für etwa 2021 geplant ist.
- Darüber hinaus haben Delphi Technologies und Cree eine Partnerschaft geschlossen, um die Wechselrichter des ersteren in Kombination mit den SiC-MOSFETs von Cree zu entwickeln. Es hat die Gesamttemperatur des Leistungsmoduls erheblich reduziert und gleichzeitig höhere Leistungsabgaben ermöglicht, um eine größere Reichweite für Hybrid- und vollelektrische Automobile zu unterstützen. Diese Wechselrichter sind außerdem 40 % leichter und 30 % kompakter als Konkurrenzmodelle.
- Darüber hinaus brachte Infineon Technologies im Mai 2021 ein neues Leistungsmodul mit CoolSiC MOSFET-Technologie für Automobilanwendungen auf den Markt. Der Einsatz von SiC anstelle von Si sorgt für einen höheren Wirkungsgrad bei Wandlern in Elektrofahrzeugen. Beispielsweise berichtete die Hyundai Motor Group, dass sie die Reichweite ihrer Fahrzeuge aufgrund der Effizienzgewinne, die sich aus den geringeren Verlusten dieser SiC-Lösung im Vergleich zur Si-basierten Lösung ergeben, mit Hilfe der Traktion um mehr als 5 % steigern konnte Wechselrichter auf Basis des CoolSiC-Leistungsmoduls von Infineon.
- Darüber hinaus vergab die britische Regierung im März 2021 im Rahmen des von UK Research and Innovation geleiteten Industrial Strategy Challenge Fund 4,8 Mio. GBP an die Swansea University, um Leistungshalbleiterbauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) herzustellen und effizientere Leistungselektronik für den Transport zu entwickeln , Haushalte und Industrie, und helfen Sie der Nation, ihre Netto-Null-Ziele zu erreichen.
Um die wichtigsten Trends zu verstehen, Musterbericht herunterladen
Der asiatisch-pazifische Raum wird das schnellste Wachstum verzeichnen
- Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter, was das globale Wachstum des Halbleitermarktes betrifft, das auch durch die Regierungspolitik unterstützt wird. Darüber hinaus wird die Halbleiterindustrie der Region von China, Taiwan, Japan und Südkorea vorangetrieben, die zusammen rund 65 % des globalen Marktes für diskrete Halbleiter ausmachen. Im Gegensatz dazu tragen auch andere Länder wie Thailand, Vietnam, Singapur und Malaysia erheblich zur Marktbeherrschung der Region bei.
- Laut der Indian Electronics and Semiconductor Association wird Indiens Markt für Halbleiterkomponenten bis 2025 voraussichtlich einen Wert von 32,35 Milliarden US-Dollar haben, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 10,1 % (2018–2025) entspricht. Das Land ist ein lukratives Ziel für weltweite Forschungs- und Entwicklungszentren. Daher wird erwartet, dass die laufende Make In India-Initiative der Regierung zu Investitionen in den Halbleitermarkt führen wird.
- Darüber hinaus ist die Region ein Elektronikzentrum, das jedes Jahr Millionen elektronischer Geräte für den Export in andere Länder und den Verbrauch in der Region produziert. Diese hohe Produktion elektronischer Komponenten und Geräte trägt maßgeblich zum Marktanteil des untersuchten Marktes bei. Beispielsweise hat die steigende Nachfrage nach Unterhaltungselektronik in Indien auch das Wachstum des regionalen Marktes begünstigt. Laut IBEF wird die Nachfrage nach Elektronikhardware in Indien bis zum Geschäftsjahr 2024 voraussichtlich 400 Milliarden US-Dollar erreichen, was das Marktwachstum weiter vorantreiben wird.
- China ist der weltweit größte Stromproduzent. Der Energiebedarf des Landes wird voraussichtlich steigen, was zu einem Wachstum der Energieproduktion führen wird. Laut IEA haben sich beispielsweise in China die Verkäufe von Elektrofahrzeugen mehr als verdoppelt; Darüber hinaus wurden im Jahr 2021 rund 3,3 Millionen Elektroautos mehr verkauft als in anderen Ländern.
- Die Automobilindustrie in China wächst und das Land spielt eine immer wichtigere Rolle auf dem globalen Automobilmarkt. Die chinesische Regierung betrachtet die Automobilindustrie, einschließlich der Autoteilebranche, als eine ihrer Stützpfeiler. Die Regierung geht davon aus, dass Chinas Automobilproduktion bis 2020 30 Millionen Einheiten und bis 2025 35 Millionen Einheiten erreichen wird.
- Darüber hinaus gewinnt der Elektrofahrzeugmarkt in Indien aufgrund der ehrgeizigen Pläne und Initiativen der Regierung an Dynamik. Öffentliche Behörden in Indien haben in den letzten Jahren mehrere politische Ankündigungen im Zusammenhang mit Elektrofahrzeugen gemacht und dabei großes Engagement, konkrete Maßnahmen und große Ambitionen für den Einsatz von Elektrofahrzeugen im Land gezeigt.
Um geografische Trends zu verstehen, Musterbericht herunterladen
Überblick über die Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterbranche
Der Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ist hart umkämpft. Es besteht aus mehreren bedeutenden Akteuren, darunter Infineon Technologies AG, Texas Instruments Inc., ST Microelectronics NV, Hitachi Power Semiconductor Device Ltd, NXP Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd, Semikron International GmbH, Cree Inc., ON Semiconductor Corporation und Mitsubishi Electric Unternehmen und andere. Diese Unternehmen führen neue Produkte, Partnerschaften und Übernahmen ein, um ihren Marktanteil zu erhöhen.
- Juni 2021 – Hitachi, ein japanisches Elektronikunternehmen, kündigt Pläne an, seine bestehende Präsenz in Hillsboro durch den Bau eines großen Halbleiter-Forschungslabors zu erweitern, um mit Fertigungskunden in den USA bei der Entwicklung neuer Technologien zusammenzuarbeiten.
- April 2021 – Die Infineon Technologies AG hat ein neues EasyPACK 2B-Modul für ihre 1200-V-Produktlinie auf den Markt gebracht. Das Modul bietet eine dreistufige aktive NPC-Topologie (ANPC), einschließlich CoolSiC-MOSFETs, TRENCHSTOP IGBT7-Bauteilen, NTC-Temperatursensor und PressFIT-Kontakttechnologie-Pins.
Marktführer bei Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern
-
Infineon technologies AG
-
Texas instruments Inc.
-
STMicroelectronics NV
-
NXP semiconductor
-
ON Semiconductor Corporation
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
Mehr Details zu Marktteilnehmern und Wettbewerbern benötigt?
Marktnachrichten für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
- Juli 2022 – SemiQ kündigt die Einführung seines Siliziumkarbid-Leistungsschalters der 2. Generation an, eines 1200 V 80 mΩ SiCMOSFET, und erweitert damit sein Portfolio an SiCpower-Geräten. Der neue MOSFET ergänzt die bestehenden SiCrectifier des Unternehmens bei 650 V, 1200 V und 1700 V, die einen hohen Wirkungsgrad für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge bieten.
- Mai 2022 – STMicroelectronics gab seine Partnerschaft mit Semikron für die Lieferung von Siliziumkarbid (SiC)-Technologie für die vom Unternehmen bereitgestellten eMPack-Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge (EV) bekannt.
- Mai 2022 – Microchip bringt das SiC-basierte, vollständig integrierte, präzise Zeitskalensystem für eine intelligente Transportinfrastruktur auf den Markt. Das Precise Time Scale System (PTSS) ist ein vollständig integriertes System, das Zeitgenauigkeiten liefern kann, die mit denen der besten nationalen Labore der Welt vergleichbar sind.
- April 2021 – ON Semiconductor aus Phoenix, Arizona, hat neue 1200-V-Siliziumkarbiddioden (SiC) der nächsten Generation in Automobil- (AECQ101) und Industriequalität vorgestellt, die für unterbrechungsfreie Hochleistungsanwendungen wie Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Solarwechselrichter geeignet sind Stromversorgungen (USV), Bordladegeräte für Elektrofahrzeuge (OBC) und DC-DC-Wandler für Elektrofahrzeuge.
- Februar 2021 – ON Semiconductor, einer der Pioniere für energieeffiziente Innovationen, hat eine neue Reihe von 650-V-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFET-Geräten für anspruchsvolle Anwendungen vorgestellt, die eine hohe Leistungsdichte, Effizienz und Zuverlässigkeit erfordern. Durch den Austausch bestehender Silizium-Schalttechnologien können Entwickler eine deutlich bessere Leistung in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen (EV), On-Board-Ladegeräten (OBC), Solarwechselrichtern, Server-Stromversorgungseinheiten (PSU), Telekommunikation und unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) erzielen die neuen SiC-Geräte (USV).
Marktbericht für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter – Inhaltsverzeichnis
1. EINFÜHRUNG
1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
1.2 Umfang der Studie
2. FORSCHUNGSMETHODIK
3. ZUSAMMENFASSUNG
4. MARKTKENNTNISSE
4.1 Marktübersicht
4.2 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
4.3 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
4.3.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
4.3.2 Verhandlungsmacht der Verbraucher
4.3.3 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
4.3.4 Wettberbsintensität
4.3.5 Bedrohung durch Ersatzspieler
4.4 Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt
4.5 Technologie-Schnappschuss
5. MARKTDYNAMIK
5.1 Marktführer
5.1.1 Steigende Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und drahtloser Kommunikation
5.1.2 Wachsende Nachfrage nach energieeffizienten, batteriebetriebenen tragbaren Geräten
5.2 Marktherausforderungen
5.2.1 Mangel an Siliziumwafern und variable Antriebsanforderungen
6. MARKTSEGMENTIERUNG
6.1 Nach Endverbraucherbranche
6.1.1 Automotive (xEVs und EV-Ladeinfrastruktur)
6.1.2 IT und Telekommunikation
6.1.3 Strom (Stromversorgung, USV, PV, Wind usw.)
6.1.4 Industriell (Motorantriebe)
6.1.5 Andere Endverbraucherbranchen (Schiene, Öl und Gas, Militär, Medizin, Forschung und Entwicklung usw.)
6.2 Nach Geographie
6.2.1 Amerika
6.2.2 Europa, Naher Osten und Afrika
6.2.3 Asien-Pazifik
7. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
7.1 Firmenprofile
7.1.1 Infineon technologies AG
7.1.2 UnitedSiC
7.1.3 ST Microelectronics NV
7.1.4 ON Semiconductor Corporation
7.1.5 GeneSiC Semiconductor Inc.
7.1.6 Danfoss A/S
7.1.7 Microsemi Corporation
7.1.8 Toshiba Corporation
7.1.9 Mitsubishi Electric Corporation
7.1.10 Fuji Electric Co. Ltd
7.1.11 Semikron International
8. INVESTITIONSANALYSE
9. ZUKUNFT DES MARKTES
Segmentierung der Siliziumkarbid-Leistungshalbleiterindustrie
Die Marktstudie kategorisiert den Markt, indem sie Details zu den Anwendungen von SiC in verschiedenen Endverbraucherbranchen bereitstellt, wie z. B. Automobil, Unterhaltungselektronik, IT und Telekommunikation, Energie, Industrie, Militär und Luft- und Raumfahrt. Die Marktstudie erläutert außerdem kurz die Chancen und Herausforderungen in mehreren geografischen Regionen. Es bietet auch eine Einschätzung der Auswirkungen von COVID-19 auf den Markt.
| Nach Endverbraucherbranche | ||
| ||
| ||
| ||
| ||
|
| Nach Geographie | ||
| ||
| ||
|
Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Wie groß ist der Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter?
Die Marktgröße für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter wird im Jahr 2024 voraussichtlich 2,18 Milliarden US-Dollar erreichen und bis 2029 mit einer jährlichen Wachstumsrate von 25,24 % auf 6,73 Milliarden US-Dollar wachsen.
Wie groß ist der Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter?
Im Jahr 2024 wird die Marktgröße für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter voraussichtlich 2,18 Milliarden US-Dollar erreichen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-Markt?
Infineon technologies AG, Texas instruments Inc., STMicroelectronics NV, NXP semiconductor, ON Semiconductor Corporation sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region im Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter?
Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter?
Im Jahr 2024 hat der asiatisch-pazifische Raum den größten Marktanteil am Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter.
Welche Jahre deckt dieser Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter ab und wie groß war der Markt im Jahr 2023?
Im Jahr 2023 wurde die Marktgröße für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter auf 1,74 Milliarden US-Dollar geschätzt. Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Größe des Marktes für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Branchenbericht über Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.
Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter Schnappschüsse melden
