RF GaN Marktgröße

Marktanalyse für Hochfrequenz-Galliumnitrid

Die Größe des RF-GaN-Marktes wird im Jahr 2024 auf 1,7 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2029 4,03 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 18,76 % im Prognosezeitraum (2024–2029) entspricht

Aufgrund der Vorteile der RF-GaN-Nutzung in einer Vielzahl von Echtzeit-verbundenen Geräten und Anwendungen wird erwartet, dass mehr Branchen die Internet-of-Things-Technologie (IoT) nutzen werden, was voraussichtlich das Marktwachstum vorantreiben wird. Mit der sich ständig weiterentwickelnden GaN-Technologie ermöglicht GaN höhere Frequenzen in komplexeren Anwendungen, wie z. B. Phased Arrays, Radar und Basis-Transceiverstationen für Kabelfernsehen (CATV), Very Small Aperture Terminal (VSAT) und Verteidigungskommunikation

• RF GaN spielt eine Schlüsselrolle in der drahtlosen Infrastruktur, da es die Effizienz verbessert und die Bandbreite erweitert, um immer höhere Datenübertragungsgeschwindigkeiten zu unterstützen. Der Markt für RF GaN wird hauptsächlich durch die zunehmende Einführung von 5G und Fortschritte in der drahtlosen Kommunikation angetrieben. Auch Telekommunikationsbetreiber könnten von einem verstärkten Einsatz von GaN-Leistungstransistoren profitieren.
• Der zunehmende Einsatz von RF-GaN in Elektroautos ist ebenfalls einer der Hauptfaktoren für die Nachfrage in diesem Markt. Siliziumkarbid-Geräte werden in Bordbatterieladegeräten von Elektrobussen, Taxis, Lastkraftwagen und Personenkraftwagen eingesetzt. Darüber hinaus stimulieren zunehmende staatliche Gesetze zur Förderung des Marktes für Elektrofahrzeuge die Nachfrage auf dem RF-GaN-Markt.
• Die für die Entwicklung autonomer Fahrzeuge und Drohnen erforderliche Infrastruktur ist ein weiterer Faktor, der die Nachfrage nach RF-GaN-Technologien erhöht. Daher wird erwartet, dass die zunehmende Einführung und Entwicklung autonomer Fahrzeuge und Drohnen für verschiedene Anwendungen, insbesondere im Militär- und Verteidigungsbereich, die Akzeptanz von RF-GaN-Geräten im Prognosezeitraum weiter steigern wird.
• Die inhärenten Materialvorteile von GaN bringen einige damit verbundene Herstellungsherausforderungen mit sich, darunter die Kosten und die Optimierung der Geräteverarbeitung und -verpackung. Weitere Probleme sind Ladungseinfang und Stromkollaps, die für eine stärkere Verbreitung dieser Geräte gelöst werden müssen. Obwohl bei HF-GaN-basierten Geräten erhebliche Verbesserungen erzielt wurden (Leistung und Ausbeute), gibt es immer noch einige Hindernisse, die Galliumnitrid auf Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) daran hindern, in Mainstream-Anwendungen (z. B. in drahtlosen Telekommunikations-Basisstationen) Einzug zu halten oder CATV).
• Die COVID-19-Pandemie hatte Auswirkungen auf die Versorgungsleitungen und die Telekommunikationsbranche. Es behinderte die Durchdringung von 5G im Telekommunikationsbereich erheblich. In dieser kritischen Situation wird von den Verbrauchern erwartet, dass sie weiterhin Mobiltelefone nutzen, aber die meisten von ihnen sind möglicherweise nicht in der Lage, mehr in eine Technologie zu investieren, die sich noch im Anfangsstadium befindet.
• Der rasch steigende Datenverbrauch hat zum Wachstum kommerzieller Netzwerke geführt und ermutigt Netzwerkanbieter, Netzwerke der nächsten Generation wie 4G und 5G einzuführen. Dem Cisco Visual Networking Index zufolge wird der weltweite mobile Datenverkehr bis 2022 voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 46 % verzeichnen und 77,5 Exabyte pro Monat erreichen.
• Auf der ganzen Welt entwickeln Unternehmen neue Produkte und erweitern ihr Geschäft. Beispielsweise gab Integra, ein Anbieter innovativer HF- und Mikrowellen-Stromversorgungslösungen, im Juni 2022 bekannt, dass es mit der Auslieferung seiner bahnbrechenden 100-V-HF-GaN-Technologie an Kunden in den USA und Europa begonnen hat. Das Unternehmen kündigte außerdem die Erweiterung seines 100-V-HF-GaN-Produktportfolios mit der Einführung von sieben neuen Produkten für die Marktsegmente Avionik, gerichtete Energie, elektronische Kriegsführung, Radar und Wissenschaft an, die Leistungsstufen von bis zu 5 kW in einem einzelnen Transistor liefern.