| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Marktgröße (2024) | USD 2.02 Billion |
| Marktgröße (2029) | USD 4.77 Billion |
| CAGR (2024 - 2029) | 18.76 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
Marktanalyse für Hochfrequenz-Galliumnitrid
Die Größe des RF-GaN-Marktes wird im Jahr 2024 auf 1,7 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2029 4,03 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 18,76 % im Prognosezeitraum (2024–2029) entspricht.
Aufgrund der Vorteile der RF-GaN-Nutzung in einer Vielzahl von Echtzeit-verbundenen Geräten und Anwendungen wird erwartet, dass mehr Branchen die Internet-of-Things-Technologie (IoT) nutzen werden, was voraussichtlich das Marktwachstum vorantreiben wird. Mit der sich ständig weiterentwickelnden GaN-Technologie ermöglicht GaN höhere Frequenzen in komplexeren Anwendungen, wie z. B. Phased Arrays, Radar und Basis-Transceiverstationen für Kabelfernsehen (CATV), Very Small Aperture Terminal (VSAT) und Verteidigungskommunikation.
- RF GaN spielt eine Schlüsselrolle in der drahtlosen Infrastruktur, da es die Effizienz verbessert und die Bandbreite erweitert, um immer höhere Datenübertragungsgeschwindigkeiten zu unterstützen. Der Markt für RF GaN wird hauptsächlich durch die zunehmende Einführung von 5G und Fortschritte in der drahtlosen Kommunikation angetrieben. Auch Telekommunikationsbetreiber könnten von einem verstärkten Einsatz von GaN-Leistungstransistoren profitieren.
- Der zunehmende Einsatz von RF-GaN in Elektroautos ist ebenfalls einer der Hauptfaktoren für die Nachfrage in diesem Markt. Siliziumkarbid-Geräte werden in Bordbatterieladegeräten von Elektrobussen, Taxis, Lastkraftwagen und Personenkraftwagen eingesetzt. Darüber hinaus stimulieren zunehmende staatliche Gesetze zur Förderung des Marktes für Elektrofahrzeuge die Nachfrage auf dem RF-GaN-Markt.
- Die für die Entwicklung autonomer Fahrzeuge und Drohnen erforderliche Infrastruktur ist ein weiterer Faktor, der die Nachfrage nach RF-GaN-Technologien erhöht. Daher wird erwartet, dass die zunehmende Einführung und Entwicklung autonomer Fahrzeuge und Drohnen für verschiedene Anwendungen, insbesondere im Militär- und Verteidigungsbereich, die Akzeptanz von RF-GaN-Geräten im Prognosezeitraum weiter steigern wird.
- Die inhärenten Materialvorteile von GaN bringen einige damit verbundene Herstellungsherausforderungen mit sich, darunter die Kosten und die Optimierung der Geräteverarbeitung und -verpackung. Weitere Probleme sind Ladungseinfang und Stromkollaps, die für eine stärkere Verbreitung dieser Geräte gelöst werden müssen. Obwohl bei HF-GaN-basierten Geräten erhebliche Verbesserungen erzielt wurden (Leistung und Ausbeute), gibt es immer noch einige Hindernisse, die Galliumnitrid auf Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) daran hindern, in Mainstream-Anwendungen (z. B. in drahtlosen Telekommunikations-Basisstationen) Einzug zu halten oder CATV).
- Die COVID-19-Pandemie hatte Auswirkungen auf die Versorgungsleitungen und die Telekommunikationsbranche. Es behinderte die Durchdringung von 5G im Telekommunikationsbereich erheblich. In dieser kritischen Situation wird von den Verbrauchern erwartet, dass sie weiterhin Mobiltelefone nutzen, aber die meisten von ihnen sind möglicherweise nicht in der Lage, mehr in eine Technologie zu investieren, die sich noch im Anfangsstadium befindet.
- Der rasch steigende Datenverbrauch hat zum Wachstum kommerzieller Netzwerke geführt und ermutigt Netzwerkanbieter, Netzwerke der nächsten Generation wie 4G und 5G einzuführen. Dem Cisco Visual Networking Index zufolge wird der weltweite mobile Datenverkehr bis 2022 voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 46 % verzeichnen und 77,5 Exabyte pro Monat erreichen.
- Auf der ganzen Welt entwickeln Unternehmen neue Produkte und erweitern ihr Geschäft. Beispielsweise gab Integra, ein Anbieter innovativer HF- und Mikrowellen-Stromversorgungslösungen, im Juni 2022 bekannt, dass es mit der Auslieferung seiner bahnbrechenden 100-V-HF-GaN-Technologie an Kunden in den USA und Europa begonnen hat. Das Unternehmen kündigte außerdem die Erweiterung seines 100-V-HF-GaN-Produktportfolios mit der Einführung von sieben neuen Produkten für die Marktsegmente Avionik, gerichtete Energie, elektronische Kriegsführung, Radar und Wissenschaft an, die Leistungsstufen von bis zu 5 kW in einem einzelnen Transistor liefern.
Markttrends für Hochfrequenz-Galliumnitrid
Starke Nachfrage aus dem Telekommunikationsinfrastruktursegment aufgrund von Fortschritten bei der 5G-Implementierung
- Als Haupttreiber der globalen Digitalisierung und als Branche, in der sich das Marktumfeld umfassend verändert, gilt die Telekommunikationsbranche als Hauptnutzer digitaler Transformationstechnologien. Die Investitionen der Telekommunikationsbranche in Interoperabilität und Technologie haben einen Paradigmenwechsel im Kapital- und Informationsfluss in der gesamten Weltwirtschaft ermöglicht und die Bausteine für die Entstehung völlig neuer Geschäftsmodelle in der gesamten Branche bereitgestellt.
- Es wird erwartet, dass die 5G-Technologie den Bereich verschiedener Breitbanddienste revolutionieren und die Konnektivität über verschiedene Endbenutzervertikalen hinweg ermöglichen wird. Die wichtigsten Faktoren, die den Marktanteil von GaN steigern, sind steigende Mobilfunkabonnements, das Streaming von Online-Videoinhalten, die 5G-Infrastruktur und verschiedene IoT-Anwendungen, die 5G nutzen. Es wird erwartet, dass 5G verschiedene Dienste und damit verbundene Dienstanforderungen in mehreren Szenarien unterstützen wird.
- Derzeit wird die Zahl der 5G-Mobilfunkabonnements auf 0,42 Millionen geschätzt, und es wird erwartet, dass sie bis 2022 400 Millionen Abonnements erreichen wird. Angesichts des erheblichen Wachstums bei der Einführung der 5G-Technologie weltweit wird erwartet, dass die Nachfrage nach RF-GaN-Technologie steigen wird.
- Im Mai 2022 gaben STMicroelectronics (ST) und MACOM Technology Solutions Holdings (MACOM), ein Anbieter von Halbleiterprodukten für die Telekommunikations-, Industrie-, Verteidigungs- und Rechenzentrumsindustrie, die Produktion von RF GaN auf Silizium (RF Gan-on-Si) bekannt ) Prototypen. Mit diesem Erfolg werden ST und MACOM weiterhin zusammenarbeiten und ihre Beziehung ausbauen. Die von ST und MACOM entwickelte GaN-on-Si-Technologie wird voraussichtlich eine wettbewerbsfähige Leistung und erhebliche Skaleneffekte bieten, die durch die Integration in Standard-Halbleiterprozessabläufe ermöglicht werden.
- Qorvo ist einer der Anbieter von HF-Lösungen für die Hersteller von 2G-, 3G- und 4G-Basisstationen. Es ist auf dem Markt einzigartig positioniert, um die Entwicklung der drahtlosen Infrastruktur unter 6 GHz und cmWave/mmWave zu unterstützen. Qorvo hat in Produktlösungen investiert, die relevante 5G-Bänder wie 3,5, 4,8 und 28 und 39 GHz abdecken, um den Markt zu bedienen, vor allem um 5G zu ermöglichen.
- Der Bedarf an dichten, kleinen Antennenarrays in der 5G-Infrastruktur führt zu großen Herausforderungen beim Energie- und Wärmemanagement in Hochfrequenzsystemen (RF). Mit ihrer verbesserten Breitbandleistung, Effizienz und Leistungsdichte bieten GaN-Geräte das Potenzial für kompaktere Lösungen, die diese Herausforderungen meistern können.
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Für den asiatisch-pazifischen Raum wird ein deutliches Wachstum erwartet
- Die diskrete Halbleiterindustrie im asiatisch-pazifischen Raum wird von China, Japan, Taiwan und Südkorea vorangetrieben und macht rund 65 % des globalen Marktes für diskrete Halbleiter aus. Im Gegensatz dazu tragen andere Länder wie Vietnam, Thailand, Malaysia und Singapur zur Marktbeherrschung der Region bei.
- Nach Angaben der Electronics and Semiconductors Association of India würde der indische Markt für Halbleiterkomponenten eine jährliche Wachstumsrate von 10,1 % (2018–2025) verzeichnen und bis 2025 32,35 Milliarden US-Dollar erreichen. Das Land ist ein wichtiges Ziel für globale Forschungs- und Entwicklungszentren. Daher wird erwartet, dass die laufende Make in India-Initiative der indischen Regierung zu erheblichen Investitionen in den Halbleitermarkt führen wird. Solche Initiativen der indischen Regierung werden den RF-GaN-Markt stärken.
- Im Februar 2022 gab Navitas Semiconductor, ein Anbieter von integrierten GaN-Schaltkreisen (ICs), seine Teilnahme an der Investorenkonferenz der China International Capital Corporation Limited (CICC) bekannt. Der proprietäre GaN-Leistungs-IC des Unternehmens integriert GaN-Leistung und GaN-Ansteuerung, -Steuerung und -Schutz in einem einzigen SMT-Gehäuse. Eine solche Beteiligung wird den GaN-Markt in der Region stärken.
- Es wird erwartet, dass die Nachfrage nach RF-GaN in der gesamten APAC-Region aufgrund des wachsenden Interesses der Investoren an der Entwicklung einer Infrastruktur zur Unterstützung der 5G-Technologie steigen wird. Laut GSMA wird der asiatisch-pazifische Mobilfunkbetreiber beispielsweise bis 2025 voraussichtlich mehr als 400 Milliarden US-Dollar ausgeben, davon 331 Milliarden US-Dollar für den 5G-Einsatz.
- Das Wachstum von RF-GaN-Unternehmen in China ist Teil eines umfassenderen Trends, da sich das Land von einer produktionsorientierten zu einer innovationsgetriebenen Wirtschaft wandelt. Der chinesische Markt erlebt eine explodierende Nachfrage nach kommerziellen drahtlosen Telekommunikationsanwendungen und chinesische Unternehmen entwickeln bereits Telekommunikationsnetze der nächsten Generation.
- Darüber hinaus entwickelten Forscher des IIT Kanpur in Indien im Dezember 2021 ein leistungsstarkes, branchenübliches Modell eines Aluminium-GaN-Transistors (AlGaN) mit hoher Elektronenmobilität (HEMT). Dieses Modell bietet eine einfache Entwurfsmethode, die zur Herstellung von Hochleistungs-HF-Schaltkreisen verwendet werden kann. Zu den HF-Schaltkreisen gehören Verstärker und Schalter, die bei drahtlosen Übertragungen verwendet werden und in Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsanwendungen nützlich sind. Ständige Innovationen der Forscher werden das Marktwachstum von RF GaN in der Region vorantreiben.
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Überblick über die Hochfrequenz-Galliumnitrid-Branche
Der Wettbewerb zwischen den Akteuren auf dem RF-GaN-Markt ist aufgrund der Präsenz einiger wichtiger Akteure wie Raytheon Technologies und STM Microelectronics hoch. Ihre Fähigkeit, ihre Angebote kontinuierlich zu erneuern, hat es ihnen ermöglicht, sich einen Wettbewerbsvorteil gegenüber anderen Marktteilnehmern zu verschaffen. Durch Forschung und Entwicklung, strategische Partnerschaften sowie Fusionen und Übernahmen konnten diese Akteure auf dem Markt stark Fuß fassen.
Im Juni 2022 wurde Qorvo, ein führender Anbieter innovativer HF-Lösungen, die die Welt verbinden, vom US-Verteidigungsministerium (DoD) ausgewählt, um mit dem Advanced Integration Interconnection and Fabrication Growth for Domestic State-of-the-Art (SOTA) fortzufahren ) RF GaN-Programm, auch bekannt als STARRY NITE, als Teil der Mikroelektronik-Roadmap des Office of Undersecretary of Defense Research Engineering (OUSD RE). Ziel des Programms ist die Entwicklung und Weiterentwicklung inländischer, offener SOTA-RF-GaN-Foundries im Einklang mit dem fortschrittlichen Verpackungsökosystem des Verteidigungsministeriums.
Im Mai 2022 gaben STMicroelectronics und MACOM Technology Solutions Holdings Inc., ein bedeutender Anbieter von Halbleiterprodukten für die Industrie-, Telekommunikations-, Verteidigungs- und Rechenzentrumsindustrie, die erfolgreiche Produktion von RF Gan on Silicon (RF Gan-on-Si)-Prototypen bekannt. Mit diesem Erfolg würden ST und MACOM weiterhin zusammenarbeiten und ihre Beziehung stärken.
Marktführer für Hochfrequenz-Galliumnitrid
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Mitsubishi Electric Corporation
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STMicroelectronics NV
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Qorvo Inc.
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Analog Devices Inc.
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Raytheon Technologies
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktnachrichten für Hochfrequenz-Galliumnitrid
- September 2022 MaxLinear Inc. und RFHIC kündigen eine Zusammenarbeit zur Bereitstellung einer serienreifen 400-MHz-Leistungsverstärkerlösung für 5G-Makrozellenfunkgeräte an, die die Technologien MaxLinear MaxLIN Digital Predistortion und Crest Factor Reduction nutzt, um die Leistung der neuesten GaN-HF-Transistoren der ID-400W-Serie von RFHIC zu optimieren. Die Kombination des Dual-Reverse-GaN-HF-Transistors ID41411DR von RFHIC mit MaxLIN DPD und die Bereitstellung als vorab verifizierte Lösung würde es Entwicklern von Radio Access Network (RAN)-Produkten ermöglichen, schnell ultrabreitbandige 400-MHz-Makro-PAs für alle globalen 5G-Mittelband-Implementierungen bereitzustellen hohe Energieeffizienz und geringe Emissionen.
- Juni 2022 Für seine 100-V-HF-GaN-Produktlinie kündigte Integra die Aufnahme von sieben weiteren Geräten mit Leistungen von bis zu 5 kW in einem einzigen Transistor für die Anwendungsbereiche Avionik, gerichtete Energie, elektronische Kriegsführung, Radar und wissenschaftliche Anwendungen an. Diese Artikel nutzen die 100-V-HF-GaN-Technologie von Integra, die darauf ausgelegt ist, die maximal mögliche Leistung und Effizienz in einem einzelnen Transistor zu bieten und gleichzeitig stabile Betriebssperrschichttemperaturen aufrechtzuerhalten.
Segmentierung der Hochfrequenz-Galliumnitrid-Branche
GAN zeichnen sich in HF-Anwendungen aus mehreren Gründen aus, wie z. B. einem hohen Durchbruchfeld, einer hohen Sättigungsgeschwindigkeit und robusten thermischen Eigenschaften, da sie maßgeblich zur Übertragung von Signalen über große Entfernungen oder bei hohen Leistungsniveaus beigetragen haben.
Dieser Bericht segmentiert den Markt nach Anwendung (Militär, Telekommunikationsinfrastruktur, Satellitenkommunikation, kabelgebundenes Breitband, kommerzielles Radar und Avionik sowie HF-Energie), Material (GaN-on-Sic und GaN-on-Silizium) und Geografie (Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik sowie Naher Osten und Afrika). Die Marktgrößen und Prognosen werden für alle oben genannten Segmente in Wert (in Mio. USD) angegeben.
| Auf Antrag | Militär |
| Telekommunikationsinfrastruktur (Backhaul, RRH, Massive MIMO, Small Cells) | |
| Satellitenkommunikation | |
| Kabelgebundenes Breitband | |
| Kommerzielles Radar und Avionik | |
| HF-Energie | |
| Nach Materialtyp | GaN-auf-Si |
| GaN-auf-SiC | |
| Andere Materialtypen (GaN-auf-GaN, GaN-auf-Diamant) | |
| Erdkunde | Nordamerika |
| Europa | |
| Asien-Pazifik | |
| Naher Osten und Afrika |
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Häufig gestellte Fragen zur Hochfrequenz-Galliumnitrid-Marktforschung
Wie groß ist der RF-GaN-Markt?
Es wird erwartet, dass die Größe des RF-GaN-Marktes im Jahr 2024 1,70 Milliarden US-Dollar erreichen und mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 18,76 % bis 2029 auf 4,03 Milliarden US-Dollar wachsen wird.
Wie groß ist der RF-GaN-Markt derzeit?
Im Jahr 2024 wird die Größe des RF-GaN-Marktes voraussichtlich 1,70 Milliarden US-Dollar erreichen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem RF-GaN-Markt?
Mitsubishi Electric Corporation, STMicroelectronics NV, Qorvo Inc., Analog Devices Inc., Raytheon Technologies sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem RF-GaN-Markt tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region im RF-GaN-Markt?
Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.
Welche Region hat den größten Anteil am RF-GaN-Markt?
Im Jahr 2024 hat Nordamerika den größten Marktanteil am RF-GaN-Markt.
Welche Jahre deckt dieser RF-GaN-Markt ab und wie groß war der Markt im Jahr 2023?
Im Jahr 2023 wurde die Größe des RF-GaN-Marktes auf 1,43 Milliarden US-Dollar geschätzt. Der Bericht deckt die historische Marktgröße des RF-GaN-Marktes für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Größe des RF-GaN-Marktes für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
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RF-GaN-Branchenbericht
Statistiken zum RF-GaN-Marktanteil, zur Größe und zur Umsatzwachstumsrate im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die RF-GaN-Analyse umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.
