RF-Frontend-Modul Marktgröße

Marktanalyse für Radiofrequenz-Front-End-Module (RF).

Die Marktgröße für RF-Front-End-Module wird im Jahr 2024 auf 25,83 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2029 42,45 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 13,23 % im Prognosezeitraum (2024–2029) entspricht

In den letzten Jahren hat die Entwicklung kostengünstiger Nanosatelliten erheblich zugenommen. Es wurde durch die Verfügbarkeit kostengünstiger Startvektoren und kommerzieller Standardkomponenten (COTS) realisierbar gemacht. Die meisten COTS-Komponenten sind in der Regel nicht für den Weltraum geeignet. Damit sie funktionieren und der rauen Weltraumumgebung standhalten, ist ein zusätzlicher Aufwand bei der Neugestaltung und Implementierung im Schaltkreis erforderlich. Das HF-Frontend-Design gilt in der Expertenforschung als eine der besseren und praktikableren Entscheidungen und besteht aus einem S-Band-Transceiver, der vollständig mit COTS-Komponenten implementiert ist. Bei weiterer Umsetzung in Nanosatelliten wird der Markt in diesem Sektor im Prognosezeitraum deutlich wachsen

• Ein HF-Frontend-Modul bezieht sich auf die Schaltung in einem Funkempfängerschaltkreis zwischen dem Antenneneingang eines Funkempfängers und der Mischstufe oder dem Leistungsverstärker des Senders.
• Die exponentielle Zunahme mobiler Kommunikationsgeräte pro Einheit und der zunehmende Datenverkehr aufgrund datenintensiver Anwendungen haben dazu geführt, dass RF-FEM-Anbieter Innovationen anführen, beispielsweise bei Hochfrequenzbändern in Mobiltelefonen. Darüber hinaus wird laut Cisco Visual Networking Index erwartet, dass sich der weltweite mobile Datenverkehr zwischen 2017 und 2022 versiebenfacht, mit einer jährlichen Wachstumsrate von 46 %, und bis 2022 77,5 Exabyte pro Monat erreicht.
• Qorvo stellte das erste Dualband-Frontend-Modul (FEM) für Wi-Fi 6 vor, das SKY85334-11 und das SKY85750-11. Es ist ideal für Kundengeräte (CPE) konzipiert und kombiniert die für die Bereitstellung von HD/4K-Videos erforderliche Leistung mit der für IoT erforderlichen Effizienz. Durch die Bereitstellung von Linearität, Verlustleistung und Effizienz für Access Points, Router und Gateways, bei denen regulatorische, thermische oder Power-over-Ethernet (PoE)-Einschränkungen einen geringen Stromverbrauch erfordern, ermöglichen die Module zudem eine rauscharme Integration beim Schalten Verstärker (LNA) mit Bypass und Leistungsverstärker (PA) als Anwendungen.
• Darüber hinaus wird erwartet, dass der stetige Anstieg der Verteidigungsbudgets in Entwicklungs- und Industrieländern und die Nachfrage nach technologisch fortschrittlichen Produkten im Arsenal nationaler und internationaler Streitkräfte das Wachstum des Weltmarktes weiter ankurbeln werden. Zusätzlich zu den technologischen Fortschritten bei autonomen Fahrzeugen und Drohnen wird erwartet, dass die Anwendungen für militärische Hochfrequenz und elektronische Kriegsführung zunehmen.
• HF-Leistungsverstärker (PA) sind daher ein integraler Bestandteil aller Basisstationen für die drahtlose Mobilfunkinfrastruktur. Sie stellen eine der teuersten Komponenten von Baugruppen moderner Infrastrukturausrüstung dar. Die in diesen Leistungsverstärkern verwendeten GaN-HF-Halbleiter müssen sich mit den wirtschaftlichen und technischen Realitäten weiterentwickeln, mit denen die Entwickler und Benutzer dieser HF-PAs konfrontiert sind.
• Aufgrund staatlich verordneter Lockdowns sowie Reise- und Handelsbeschränkungen waren viele Branchen wie Elektronik, Automobil, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie Telekommunikation gezwungen, ihren Betrieb einzustellen, was die Nachfrage nach HF-Leistungshalbleitern im Jahr 2020 verringerte. Ab 2022 Mehrere Hersteller von HF-Komponenten haben ihre Lieferketten durch die Zusammenarbeit mit regionalen Rohstofflieferanten neu organisiert. Dadurch soll künftig die Belastung der Produzenten durch die COVID-19-Pandemie verringert werden.