Resistiver RAM Marktgröße

Marktanalyse für Resistive Direktzugriffsspeicher (RAM).

Es wird erwartet, dass der Markt für Resistive RAM im Prognosezeitraum eine jährliche Wachstumsrate von 29,9 % verzeichnen wird. Resistives RAM, ein nichtflüchtiger Speicher, wird voraussichtlich Marktanteile erobern, indem es statische Direktzugriffsspeicher und dynamische Direktzugriffsspeicher ersetzt. Der Ersatz wird aufgrund zahlreicher Vorteile möglich sein, die der resistive Direktzugriffsspeicher bietet, wie z. B. große Speicherdichte und 3D-Packung, wodurch Schichten von Speichergeräten in einem Chip koordiniert und organisiert werden können, schnelles Umschalten für schnellen Informationsaustausch und Nutzung möglich ist weniger Energie pro Schaltzyklus. ReRAM kann auch Flash-Speicher ersetzen, der in Mobiltelefonen und anderen Unterhaltungselektronikgeräten wie MP3-Playern verwendet wird

• Darüber hinaus hat der zunehmende Einsatz von Sensortechnologie, wie etwa tragbaren und KI-fähigen Geräten, in verschiedenen Regionen der Welt die Nachfrage nach schnellen Datenübertragungen und hoher Speicherdichte erhöht, was wiederum eine enorme Chance oder Möglichkeit für das Wachstum bietet des weltweiten Marktes für resistive Direktzugriffsspeicher.
• Darüber hinaus investieren verschiedene Multi-Memory-Unternehmen in die ReRAM-Technologie. Beispielsweise kündigte CrossBar Inc., ein Anbieter von nichtflüchtiger Speichertechnologie, im April letzten Jahres neue Anwendungen seiner ReRAM-Technologie für den Einsatz in der sicheren Speicherung und Verarbeitung an, bei denen die Widerstandsfähigkeit gegen Reverse Engineering und physische Angriffe eine wesentliche Anforderung des Systems ist. Die Technologie des Unternehmens wird jetzt für den Einsatz in Speicheranwendungen angeboten, die ein höheres Maß an Inhaltssicherheit erfordern.
• Resistiver Direktzugriffsspeicher (ReRAM) gewinnt als Alternative zum nichtflüchtigen Speicher (NVM) an Bedeutung, insbesondere in Cloud- und Rechenzentrumsumgebungen, in denen Leistung und Energieeffizienz ständig verbessert werden. Die ReRAM-Technologie hat eine geringere Leselatenz und eine schnellere Schreibversion als Flash-Speicher gezeigt und gleichzeitig eine Programmenergie von 64 pJ/Zelle erreicht, was einer Verbesserung von 20 % gegenüber NAND entspricht, da die Nachfrage nach Daten von Benutzern über Premiumdienste wie Video-Streaming und von Maschinen wächst durch das Internet der Dinge (IoT). Darüber hinaus stellen die vertikalen 3D-ReRAM-Arrays leistungsstarke Speichersubsysteme bereit, die Standard-DRAM- oder Flash-basierte SSDs in Rechenzentrumsumgebungen ersetzen können und eine schnellere Datenverarbeitung, -speicherung und -abfrage in deutlich kleineren Formfaktoren bei geringerem Energieverbrauch ermöglichen.
• Allerdings sind die steigenden Kosten von resistiven Direktzugriffsspeichern und die Komplexität verschiedener technologischer Anwendungen zu entscheidenden Herausforderungen geworden, die das Marktwachstum im gesamten Prognosezeitraum behindern können.
• Darüber hinaus behindert die COVID-19-Pandemie wahrscheinlich das insgesamt erwartete Wachstum des Marktes, was hauptsächlich auf die Unterbrechung der Lieferkette zurückzuführen ist, da mehrere Unternehmen einen Mangel an Komponenten wie Induktoren und Kondensatoren für die Fertigung verzeichnen. Aber in den folgenden Jahren wird erwartet, dass die Innovation und Implementierung neuer Materialien die Nachfrage nach resistiven Direktzugriffsspeichern in verschiedenen Branchen auf der ganzen Welt steigern wird.