Marktgröße für Resistive Direktzugriffsspeicher (RAM).
| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 29.90 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Mittel |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für Resistive Direktzugriffsspeicher (RAM).
Es wird erwartet, dass der Markt für Resistive RAM im Prognosezeitraum eine jährliche Wachstumsrate von 29,9 % verzeichnen wird. Resistives RAM, ein nichtflüchtiger Speicher, wird voraussichtlich Marktanteile erobern, indem es statische Direktzugriffsspeicher und dynamische Direktzugriffsspeicher ersetzt. Der Ersatz wird aufgrund zahlreicher Vorteile möglich sein, die der resistive Direktzugriffsspeicher bietet, wie z. B. große Speicherdichte und 3D-Packung, wodurch Schichten von Speichergeräten in einem Chip koordiniert und organisiert werden können, schnelles Umschalten für schnellen Informationsaustausch und Nutzung möglich ist weniger Energie pro Schaltzyklus. ReRAM kann auch Flash-Speicher ersetzen, der in Mobiltelefonen und anderen Unterhaltungselektronikgeräten wie MP3-Playern verwendet wird.
- Darüber hinaus hat der zunehmende Einsatz von Sensortechnologie, wie etwa tragbaren und KI-fähigen Geräten, in verschiedenen Regionen der Welt die Nachfrage nach schnellen Datenübertragungen und hoher Speicherdichte erhöht, was wiederum eine enorme Chance oder Möglichkeit für das Wachstum bietet des weltweiten Marktes für resistive Direktzugriffsspeicher.
- Darüber hinaus investieren verschiedene Multi-Memory-Unternehmen in die ReRAM-Technologie. Beispielsweise kündigte CrossBar Inc., ein Anbieter von nichtflüchtiger Speichertechnologie, im April letzten Jahres neue Anwendungen seiner ReRAM-Technologie für den Einsatz in der sicheren Speicherung und Verarbeitung an, bei denen die Widerstandsfähigkeit gegen Reverse Engineering und physische Angriffe eine wesentliche Anforderung des Systems ist. Die Technologie des Unternehmens wird jetzt für den Einsatz in Speicheranwendungen angeboten, die ein höheres Maß an Inhaltssicherheit erfordern.
- Resistiver Direktzugriffsspeicher (ReRAM) gewinnt als Alternative zum nichtflüchtigen Speicher (NVM) an Bedeutung, insbesondere in Cloud- und Rechenzentrumsumgebungen, in denen Leistung und Energieeffizienz ständig verbessert werden. Die ReRAM-Technologie hat eine geringere Leselatenz und eine schnellere Schreibversion als Flash-Speicher gezeigt und gleichzeitig eine Programmenergie von 64 pJ/Zelle erreicht, was einer Verbesserung von 20 % gegenüber NAND entspricht, da die Nachfrage nach Daten von Benutzern über Premiumdienste wie Video-Streaming und von Maschinen wächst durch das Internet der Dinge (IoT). Darüber hinaus stellen die vertikalen 3D-ReRAM-Arrays leistungsstarke Speichersubsysteme bereit, die Standard-DRAM- oder Flash-basierte SSDs in Rechenzentrumsumgebungen ersetzen können und eine schnellere Datenverarbeitung, -speicherung und -abfrage in deutlich kleineren Formfaktoren bei geringerem Energieverbrauch ermöglichen.
- Allerdings sind die steigenden Kosten von resistiven Direktzugriffsspeichern und die Komplexität verschiedener technologischer Anwendungen zu entscheidenden Herausforderungen geworden, die das Marktwachstum im gesamten Prognosezeitraum behindern können.
- Darüber hinaus behindert die COVID-19-Pandemie wahrscheinlich das insgesamt erwartete Wachstum des Marktes, was hauptsächlich auf die Unterbrechung der Lieferkette zurückzuführen ist, da mehrere Unternehmen einen Mangel an Komponenten wie Induktoren und Kondensatoren für die Fertigung verzeichnen. Aber in den folgenden Jahren wird erwartet, dass die Innovation und Implementierung neuer Materialien die Nachfrage nach resistiven Direktzugriffsspeichern in verschiedenen Branchen auf der ganzen Welt steigern wird.
Markttrends für Resistive Direktzugriffsspeicher (RAM).
Die steigende Nachfrage nach vernetzten Geräten im Unterhaltungselektroniksegment befeuert die Nachfrage nach ReRAM
- ReRAMs können schneller rechnen als gewöhnliche RAMs, eignen sich besser für leseintensive Anwendungen und sind ideal für Speicher der Speicherklasse in Servern. Darüber hinaus wird erwartet, dass die steigende Nachfrage der Unterhaltungselektronik nach vernetzten Geräten, der zunehmende Einsatz von Sensortechnologien, einschließlich tragbarer und KI-fähiger Geräte, sowie Entwicklungen von Branchenakteuren zum Marktwachstum beitragen.
- Beispielsweise startete Enphase Energy, Inc., ein weltweit tätiges Energietechnologieunternehmen und weltweit größter Hersteller von Photovoltaik- und Speichersystemen auf Mikrowechselrichterbasis, im August letzten Jahres eine neue Zusammenarbeit mit Home Connect. Dieses zugängliche digitale Netzwerk ermöglicht die Steuerung von Haushaltsgeräten vieler Hersteller mit einer einzigen App.
- Die höhere Schaltgeschwindigkeit ist ein Hauptvorteil von ReRAM gegenüber anderen nichtflüchtigen Speichertechnologien wie NAND-Flash. ReRAM verbraucht viel weniger Strom als NAND-Flash. Dadurch eignet es sich am besten für den Speicher in Sensorgeräten für Industrie-, Automobil- und Internet-of-Things-Anwendungen (IoT). Neuromorphes Computing ist eine weitere potenzielle Anwendung für ReRAM.
- In den letzten Jahren war eine erhebliche Nachfrage nach vernetzten Geräten wie Wearables, IoT und KI-basierten Systemen zu beobachten. Zur Erhöhung der Speicherkapazität werden in diesen Geräten ohmsche RAMs eingesetzt. Darüber hinaus wird mit den kommenden Smart Cities und Smart Homes die Zahl der angeschlossenen Geräte zwangsläufig zunehmen, was wiederum die Nachfrage nach Servern mit hoher Speicherkapazität erhöhen wird.
- Um den neuen IoT-Anforderungen gerecht zu werden, führen mehrere Unternehmen Innovationen ein, um Remote-Operationen zu verbinden und zu skalieren und so Echtzeit-, sichere und bandbreitenintensive IoT-Anwendungen zu verwirklichen. Beispielsweise stellte Silicon Labs, der Pionier im Bereich sicherer, intelligenter drahtloser Innovationen für eine besser vernetzte Welt, im September letzten Jahres ein Portfolio innovativer Lösungen vor, das sein interoperabilitätsorientiertes, Multiprotokoll-unterstützendes und äußerst sicheres Angebot erheblich erweiterte Neue Lösungen, um die Durchbrüche und Muster voranzutreiben, die das Internet der Dinge definieren, wie Amazon Sidewalk, Matter, Wi-SUN und Wi-Fi 6.
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Der asiatisch-pazifische Raum wird voraussichtlich einen großen Marktanteil halten
- Es wird erwartet, dass der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum eine starke Position auf dem globalen Markt für resistive Direktzugriffsspeicher einnehmen wird. China, Südkorea und Indien gehören zu den wichtigsten Ländern, die das Marktwachstum im asiatisch-pazifischen Raum vorantreiben. Die wachsende Unterhaltungselektronik- und Automobilindustrie treibt vor allem die Nachfrage nach resistiven Direktzugriffsspeichern in den Ländern des asiatisch-pazifischen Raums an.
- Darüber hinaus errichten viele Unternehmen in dieser Region Rechenzentren, was auch die Nachfrage nach dem Markt für Widerstands-RAM erhöhen wird. Entwicklungsländer wie Indien, China und Japan werden aufgrund der wachsenden Unternehmensserver, Rechenzentren, KI und vernetzten Infrastruktur das Marktwachstum in dieser Region vorantreiben.
- China baut seine heimische IC-Industrie aus und plant, mehr Chips herzustellen. Auch die starke Präsenz von Herstellern in der Region trägt wesentlich zum Markt bei. China ist die Heimat mehrerer globaler Gießereien mit wachsender Bedeutung im globalen Halbleitersektor.
- Die wachsenden Investitionen in die auf ReRAM-Technologie basierenden Hersteller steigern die Marktwachstumsrate. Beispielsweise hat sich Xinyuan Semiconductor, das sich auf die Forschung und Entwicklung der neuen Speicherprodukte von ReRAM und damit verbundener Derivate konzentriert, zu Chinas führendem Unternehmen für neue Speichertechnologie entwickelt.
- Darüber hinaus gab Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited im März 2022 die Veröffentlichung des MB85AS12MT bekannt, eines 12-Mbit-ReRAM mit der höchsten Kapazität in der ReRAM-Produktlinie von Fujitsu. Bei dieser neuen Erfindung handelt es sich um einen nichtflüchtigen Speicher mit einer hohen Speicherkapazität von 12 Mbit in einer kompakten Gehäusegröße von etwa 2 mm x 3 mm.
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Überblick über die Branche des Resistiven Direktzugriffsspeichers (RAM).
Der Resistive-RAM-Markt ist mäßig wettbewerbsintensiv und besteht aus mehreren großen Akteuren. Marktteilnehmer wie unter anderem Rambus Inc., Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd und Crossbar Inc. gehören zu den wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt tätig sind. Diese Hauptakteure konzentrieren sich auf den Ausbau ihrer Produktionskapazitäten und die Nutzung strategischer Kooperationsinitiativen, um ihren Marktanteil und ihre Rentabilität zu steigern.
Im November 2022 führte Infineon Technologies die Resistive RAM (RRAM) Non-Volatile Memory (NVM)-Technologie von TSMC in seiner nächsten Generation von Automobil-Mikrocontrollern ein. RRAM ist eine aufstrebende eingebettete Flash-Technologie für Mikrocontroller, die sich auf 28-nm-Prozesstechnologien und darüber hinaus skalieren lässt und die für Automobildesigns erforderliche Zuverlässigkeit bietet. Die Technologie ist immun gegen Interferenzen und ermöglicht bitweises Schreiben, ohne dass ein Löschen erforderlich ist, während die Haltbarkeit und Datenspeicherleistung mit der aktuellen Flash-Speichertechnologie vergleichbar ist.
Im Oktober 2022 gab Weebit Nano Limited, ein Entwickler von Speichertechnologien der nächsten Generation für die weltweite Halbleiterindustrie, bekannt, dass es die vollständige Technologiequalifizierung seines Resistive Random-Access Memory (ReRAM)-Moduls abgeschlossen hat, das hauptsächlich von seinem Forschungs- und Entwicklungspartner hergestellt wird CEA-Leti. Dies ist die erste vollständige Qualifizierung der Weebit-ReRAM-Technologie, ein entscheidender Schritt, der für jedes Halbleiterprodukt in jedem neuen Zielprozess abgeschlossen werden muss.
Marktführer bei Resistiven Direktzugriffsspeichern (RAM).
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Panasonic Corporation
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Adesto Technologies
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Fujitsu Ltd
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Crossbar Inc.
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Rambus Inc.
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktnachrichten für Resistive Direktzugriffsspeicher (RAM).
- Februar 2022 Intrinsic Semiconductor Technologies gab bekannt, dass es seine auf Siliziumoxid basierenden resistiven Direktzugriffsspeichergeräte (RRAM) erfolgreich skaliert hat. Sie demonstrierten elektrische Leistungsmerkmale, die ihren Einsatz als leistungsstarker, kostengünstiger, eingebetteter, nichtflüchtiger Speicher in Logikgeräten an fortschrittlichen Verarbeitungsknoten ermöglichen könnten. Die RRAM-Bausteine des Unternehmens wurden auf Abmessungen von 50 nm skaliert. Das Unternehmen sagte, die Geräte hätten ein hervorragendes Schaltverhalten gezeigt, was für ihren Einsatz als nichtflüchtige Solid-State-Speicher der nächsten Generation von entscheidender Bedeutung sei.
- Januar 2022 Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited hat die Verfügbarkeit des 8-Mbit-FRAM MB85RQ8MLX mit Quad-SPI-Schnittstelle bekannt gegeben, der höchsten Dichte in Fujitsus FRAM-Produktlinie mit SPI-Verbindung.
Marktbericht für Resistive Random Access Memory (RAM) – Inhaltsverzeichnis
1. EINFÜHRUNG
1.1 Studienannahmen und Marktdefinition
1.2 Umfang der Studie
2. FORSCHUNGSMETHODIK
3. ZUSAMMENFASSUNG
4. MARKTEINBLICKE
4.1 Marktübersicht
4.2 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
4.2.1 Verhandlungsmacht der Lieferanten
4.2.2 Verhandlungsmacht der Verbraucher
4.2.3 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
4.2.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
4.2.5 Wettberbsintensität
4.3 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
4.4 Bewertung der Auswirkungen von COVID-19 auf die Branche
5. MARKTDYNAMIK
5.1 Marktführer
5.1.1 Steigende Nachfrage nach IoT, Cloud Computing und Big Data
5.1.2 Steigende Nachfrage nach der Anwendung von Automatisierungsrobotern
5.2 Marktbeschränkungen
5.2.1 Komplexität in technologischen Anwendungen
6. TECHNOLOGIE-SCHNAPPSCHUSS
6.1 Materialtyp
6.1.1 OxRRAM
6.1.2 CBRAM
6.1.3 Nano-Metallfilament
6.2 Übersicht über Lösungstypen
7. NVM-MARKTÜBERSICHT – Bereitstellung einer Abdeckung für die gesamten NVM-Lieferungen (nichtflüchtiger Speicher). Die Lieferungen erfolgen im Hinblick auf die Anzahl gleichwertiger 12-Zoll-Wafer, zusammen mit wichtigen Trends und jüngsten Entwicklungen usw.
8. MARKTSEGMENTIERUNG
8.1 Anwendung
8.1.1 Eingebettet (analoge ICs, MCU/SoC/ASIC/ASSPs, In-Memory Computing)
8.1.2 Eigenständig (schneller/zuverlässiger Speicher, Code-/Datenspeicher, Speicher mit geringer Latenz und persistenter Speicher)
8.2 Endbenutzer
8.2.1 Industrie/IoT/Wearables/Automotive
8.2.2 SSD/Rechenzentren/Workstations
8.3 Erdkunde
8.3.1 Amerika
8.3.2 Europa
8.3.3 China
8.3.4 Japan
8.3.5 Asien-Pazifik (ohne China und Japan)
9. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
9.1 Firmenprofile
9.1.1 Crossbar Inc.
9.1.2 4DS Memory Limited
9.1.3 Dialog Semiconductor PLC
9.1.4 Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited
9.1.5 Weebit-Nano Ltd
9.1.6 Xinyuan Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
10. INVESTITIONSANALYSE
11. ZUKÜNFTIGER AUSBLICK DES MARKTES
Branchensegmentierung von Resistiven Direktzugriffsspeichern (RAM).
Resistiver Direktzugriffsspeicher (ReRAM oder RRAM) ist ein nichtflüchtiger Computerspeicher mit wahlfreiem Zugriff, der auf dem Prinzip der Widerstandsänderung über einem dielektrischen Festkörpermaterial basiert. Resistiver Direktzugriffsspeicher basiert auf der Anwendung der Speicherfunktion durch Änderung des Widerstands des Materials zwischen einem hohen und einem niedrigen Zustand.
Der Resistive-RAM-Markt ist segmentiert nach Anwendung (eingebettet, eigenständig), Endbenutzer (Industrie/IoT/Wearables/Automotive, SSD/Rechenzentren/Workstations) und Geografie (Amerika, Europa, China, Japan, Asien-Pazifik ((ohne) China und Japan)). Die Marktgrößen und Prognosen werden in Bezug auf den Wert (in Mio. USD) für alle oben genannten Segmente angegeben.
| Anwendung | ||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für Resistive Direktzugriffsspeicher (RAM).
Wie groß ist der Resistive RAM-Markt derzeit?
Der Markt für Resistive RAM wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 29,90 % verzeichnen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Resistive RAM-Markt?
Panasonic Corporation, Adesto Technologies, Fujitsu Ltd, Crossbar Inc., Rambus Inc. sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Resistive RAM tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region im Resistive RAM-Markt?
Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.
Welche Region hat den größten Anteil am Resistive RAM-Markt?
Im Jahr 2024 hat Nordamerika den größten Marktanteil im Resistive RAM-Markt.
Welche Jahre deckt dieser Resistive RAM-Markt ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Resistiven-RAM-Marktes für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße des Resistiven-RAM-Marktes für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Resistiver RAM-Branchenbericht
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Resistive RAM im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Resistive-RAM-Analyse umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.
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