Marktgröße von Nichtflüchtiger Speicher Industrie
Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
Marktgröße (2024) | USD 94,52 Milliarden |
Marktgröße (2029) | USD 164,79 Milliarden |
CAGR(2024 - 2029) | 11.76 % |
Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
Größter Markt | Asien-Pazifik |
Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für nichtflüchtige Speicher
Die Größe des Marktes für nichtflüchtige Speicher wird im Jahr 2024 auf 94,52 Milliarden US-Dollar geschätzt und soll bis 2029 164,79 Milliarden US-Dollar erreichen, was einem durchschnittlichen jährlichen Wachstum von 11,76 % im Prognosezeitraum (2024–2029) entspricht
Im letzten Jahrzehnt hat das Wachstum des Marktes für tragbare Systeme das Interesse der Halbleiterindustrie an nichtflüchtigen Speichertechnologien (NVM) für Massenspeicheranwendungen geweckt. Die Nachfrage nach höherer Effizienz, schnellerem Speicherzugriff und geringem Stromverbrauch treibt das Wachstum des NVM-Marktes voran
- In der florierenden Unterhaltungselektronikbranche erwarten Benutzer, dass ihre Geräte immer leistungsfähiger werden, neue Funktionen mit unglaublicher Geschwindigkeit bereitstellen und mehr Filme, Bilder und Musik speichern. Während Flash in den letzten Jahrzehnten erhebliche Innovationen ermöglichte, ist eine neue Generation von Speicher erforderlich, da Flash auf technologische Hürden stößt und eine weitere Skalierung verhindert wird.
- Die Einführung von Flash-Speichern in der Unterhaltungselektronik ist aufgrund ihres niedrigen Preises und Stromverbrauchs von entscheidender Bedeutung für das Wachstum des Marktes. NVM wird in Smartphones und tragbaren Geräten verwendet, um mehr Speicherplatz und einen schnelleren Speicherzugriff zu ermöglichen.
- Auch die zunehmenden Forschungsaktivitäten in diesem Bereich treiben das Wachstum des Marktes voran. Beispielsweise kündigte Infineon Technologies LLC im März 2021 die Einführung nichtflüchtiger statischer RAMs der zweiten Generation an, die für QML-Q und hochzuverlässige Industriespezifikationen qualifiziert sind und hauptsächlich die nichtflüchtige Codespeicherung in rauen Umgebungen, einschließlich Luft- und Raumfahrt, unterstützen industrielle Anwendungen.
- In ähnlicher Weise kündigte Samsung Anfang 2021 die Verbesserung der MTJ-Funktion seines MRAM an und entwickelte seinen 14-nm-Prozess weiter, um seinen eingebetteten MRAM vom Flash-Typ zu unterstützen, der die Schreibgeschwindigkeit und -dichte erhöhen soll. Darüber hinaus zielt das Unternehmen auf die Anwendung neuer IC-NVMs in Wearables, Mikrocontrollern und IoT-Geräten ab.
- Probleme mit nichtflüchtigen Speichern auf dem Markt werden jedoch häufig durch die Lese-/Schreibdauer und die Datenspeicherungseigenschaften verursacht. Beispielsweise sind Phase-Change-Speicher (PCMs) und Flash-Speicher Beispiele für NVMs mit begrenzter Lebensdauer. Diese NVMs haben eine geringe Lebensdauer, da die Speicherzellen nach mehreren Schreibzyklen (RESET-Zyklen für PCM, Programmier-/Löschzyklen für Flash-Speicher) verschleißen und Informationen nicht mehr zuverlässig speichern können.
- Der COVID-19-Ausbruch wirkte sich negativ auf mehrere Endverbraucherbranchen nichtflüchtiger Speicher aus, beispielsweise auf die Smartphone-Branche. Es wird erwartet, dass die steigende Nachfrage nach Server- und PC-Speicher für Aktivitäten zu Hause, angetrieben durch wichtige Megatrends wie Cloud Computing, KI und IoT, das Wachstum nichtflüchtiger Speicher im Prognosezeitraum unterstützen wird.