Marktgröße für Transistoren der nächsten Generation
| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 4.00 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
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Marktanalyse für Transistoren der nächsten Generation
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation wird im Prognosezeitraum voraussichtlich mit einer jährlichen Wachstumsrate von 4 % wachsen. Hauptsächlich aufgrund des Wachstums des Unterhaltungselektronikmarktes. In den neuesten Smartphones auf dem Markt sind eine Milliarde Transistoren vorhanden, die für eine schnellere Bedienung des Geräts sorgen. Laut IBEF überstieg der Umsatz des indischen Smartphone-Marktes kürzlich 38 Milliarden US-Dollar, was einem Wachstum von 27 % gegenüber dem Vorjahr entspricht. Darüber hinaus hat Xiaomi, ein Top-Smartphone-Unternehmen, im zweiten Quartal 2022 39,5 Millionen Geräte ausgeliefert.
- Halbleitermaterialien stellen eine der bedeutenden Innovationen in der Elektronikindustrie dar. Dies ist auf ihre hohe Elektronenmobilität, die breiten Temperaturgrenzen und den geringen Energieverbrauch zurückzuführen. Laut SEMI erreichten die weltweiten Verkäufe der gesamten Halbleiterfertigungsausrüstung durch Erstausrüster im Jahr 2022 einen Rekordwert von 117,5 Milliarden US-Dollar, was einem Anstieg von 14,7 % gegenüber dem vorherigen Branchenhoch von 102,5 Milliarden US-Dollar im Jahr 2021 entspricht und voraussichtlich um 120,8 Milliarden US-Dollar im Jahr 2023 steigen wird.
- Der wachsende Umfang an erweiterten Funktionen in Verbrauchergeräten erhöht auch den Bedarf an schneller Verarbeitung in Echtzeit. Darüber hinaus werden mit dem Aufkommen des IoT Funktionen wie KI, Datenanalyse, Echtzeit-Datenübertragung und -verarbeitung zu einer Grundvoraussetzung für alle fortschrittlichen Geräte und bieten den untersuchten Marktanbietern enorme Chancen. Darüber hinaus präsentierte TSMC seine kommende Herstellungsprozesstechnologie auf dem North America Technology Symposium 2022 des Unternehmens, wobei der Höhepunkt Details seines 2-nm-Knotens der nächsten Generation waren, der intern als N2 bekannt ist. Das Unternehmen wird Ende 2022 mit dem 3-nm-Knoten in Produktion gehen.
- Darüber hinaus entwickelten Wissenschaftler im April 2022 den ihrer Meinung nach ersten magnetoelektrischen Transistor, der dazu beitragen könnte, die Elektronik energieeffizienter zu machen. Der Entwurf des Teams senkt nicht nur den Energieverbrauch aller Mikroelektronikgeräte, die ihn enthalten, sondern könnte auch die Anzahl der zum Speichern bestimmter Daten erforderlichen Transistoren um bis zu 75 Prozent reduzieren, was zu kleineren Geräten führt. Es könnte diesen Mikroelektronikgeräten auch ein Stahlfallengedächtnis verleihen, das sich genau daran erinnert, wo seine Benutzer aufhören, selbst nach einer Abschaltung oder einem plötzlichen Stromausfall.
- Darüber hinaus gehen viele Marktteilnehmer dazu über, Nanoblätter in ihren Herstellungsprozessen einzusetzen. Beispielsweise enthüllte der taiwanesische Chiphersteller TSMC im Juni 2022 Einzelheiten seines mit Spannung erwarteten 2-nm-Produktionsprozessknotens, der 2025 auf den Markt kommen soll und eine Nanoblatt-Transistorarchitektur und Verbesserungen seiner 3-nm-Technologie verwenden wird. Nach Angaben des Unternehmens. Es wird erwartet, dass die neueren Generationen von Silizium-Halbleiterchips die Geschwindigkeit steigern. Sie werden energieeffizienter sein, da die Prozessknoten schrumpfen und die Technologiebranche weiterhin darum kämpft, das Mooresche Gesetz einzuhalten.
- Darüber hinaus wirkt sich Post Covid 19 auf die Produktions- und Fertigungskapazitäten der Halbleiter- und anderen Elektronikkomponentenindustrie aus. Quellen der chinesischen Presse zufolge zwang beispielsweise die Omicron-Aussperrung in Shenzhen im Juni 2022 Huaqiangbei, einen der größten Elektronikmärkte der Welt, erneut zu einer teilweisen Schließung. Huaqiangbei, ein Zentrum für die Lieferung von Halbleitern, Mobiltelefonen und anderer Elektronik, liegt im Bezirk Futian von Shenzhen. Nach Angaben des Finanzmediums Cailianshe haben bestimmte Anbieter in Huaqiangbei ihren Betrieb vorübergehend eingestellt, da Shenzhen die Maßnahmen zur Eindämmung der Ausbreitung des hoch ansteckenden Omicron Covid-19 verschärfte. Zu diesen Anbietern gehören die erste und zweite Filiale von HuaqiangElectronics World.
Markttrends für Transistoren der nächsten Generation
Zunehmende Einführung von High Electron Mobility Transistor (HEMT)
- Transistoren mit hoher Elektronenmobilität erzeugen eine hohe Verstärkung, wodurch diese Transistoren als Verstärker sehr nützlich sind. Sie können schnell die Geschwindigkeit wechseln. Und es entstehen geringe Rauschwerte, da die Stromschwankungen in diesen Transistoren relativ gering sind.
- Viele Unternehmen entwickeln HEMT-Geräte, die mit höheren Frequenzen arbeiten als herkömmliche Transistoren. Beispielsweise kündigte Nanoscience Technology im November 2022 ein neues 650-V-E-Mode-GaN-HEMT-Gerät mit niedrigem RDS(on) an. In einem standardmäßigen 8x8-DFN-Gehäuse haben die Leistungstransistoren INN650D080BS einen Einschaltwiderstand von 80 m (60 m typisch) und ermöglichen Anwendungen mit höherer Leistung wie Totem-Pole-LLC-Architekturen oder schnelle Batterieladegeräte.
- Im September 2022 brachte Ampleon beispielsweise einen neuen CLL3H0914L-700 GaN-SiC-Transistor mit hoher Elektronenmobilität auf den Markt. Dieser robuste GaN-Transistor ist für Radaranwendungen optimiert, bei denen lange Impulsbreiten und hohe Arbeitszyklen erforderlich sind. Der Transistor wurde entwickelt, um eine Spitzenausgangsleistung von über 700 W mit einem einzelnen Transistor bei einer Spannung von 50 V und einem branchenführenden Wirkungsgrad von über 70 % zu erreichen. Außerdem wurde er thermisch für Anwendungen mit langen Impulsen entwickelt, z Millisekunden) und 20 % Arbeitszyklen.
- Darüber hinaus treiben die wachsende Nachfrage nach Unterhaltungselektronik und die Anwendbarkeit von Transistoren mit hoher Elektronenmobilität das Marktwachstum voran. Laut IBEF belief sich die indische Geräte- und Unterhaltungselektronikindustrie zuletzt auf 9,84 Milliarden US-Dollar und wird sich bis 2025 voraussichtlich mehr als verdoppeln und 1,48 Lakh Crore INR (21,18 Milliarden US-Dollar) erreichen. Solche Entwicklungen in der Unterhaltungselektronik werden das untersuchte Marktwachstum weiter vorantreiben.
- Darüber hinaus hat STMicroelectronics kürzlich eine neue Familie von GaN-Bauteilen mit der Bezeichnung STi2GaN angekündigt, die für ST Intelligent and Integrated GaN steht. Die Teile nutzen die Bonddraht-freie Verpackungstechnologie von ST, um Robustheit und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Die neue Produktfamilie zielt darauf ab, die hohe Leistungsdichte und Effizienz von GaN zu nutzen, um eine Reihe von 100- und 650-V-HEMT-Bauteilen (High Electron Mobility Transistor) anzubieten.
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Der asiatisch-pazifische Raum wird ein erhebliches Marktwachstum verzeichnen
- Die Region Asien-Pazifik ist ein Elektronikzentrum mit jährlich Milliarden von elektronischen Geräten, die speziell in dieser Region für den Konsum hergestellt werden. Allerdings spielt der asiatisch-pazifische Raum eine bedeutende Rolle beim Export elektronischer Komponenten in die ganze Welt. Das schnelle Wachstum des Unterhaltungselektronikmarktes in dieser Region ist der wichtigste Wachstumsfaktor für die Region Asien-Pazifik im globalen Markt für Transistoren der nächsten Generation.
- Darüber hinaus verfügen die Entwicklungsländer der Region wie China und Japan über umfangreiche Produktionsstandorte für die Elektronikindustrie und haben das Potenzial, zu bedeutenden Akteuren auf dem Transistormarkt zu werden. Darüber hinaus würden sich die Telefone der nächsten Generation ausschließlich auf die Verbesserung der Leistung von Telefonen mit besseren Spezifikationen konzentrieren. Die Integration weiterer Transistoren soll zu kleineren Telefonen mit schnellerer Verarbeitung führen, was perfekt auf die Bedürfnisse der Verbraucher eingeht. Laut IBEF stiegen die Auslieferungen von Made-in-India-Smartphones im ersten Quartal 2022 im Jahresvergleich um 7 % auf über 48 Millionen Einheiten, während über 190 Millionen in Indien hergestellte Smartphones ausgeliefert wurden.
- Laut IBEF zielt die National Policy on Electronics 2019 auf die Produktion von einer Milliarde Mobiltelefonen im Wert von 190 Milliarden US-Dollar bis 2025 ab, von denen voraussichtlich 600 Millionen Mobiltelefone im Wert von 100 Milliarden US-Dollar exportiert werden.
- Darüber hinaus hat China das Wachstum seiner Halbleiterindustrie zu einem Schlüsselbestandteil seiner Made in China 2025-Agenda gemacht, um diese Situation zu ändern. China will seinen Marktanteil im Elektronikbereich erhöhen und gleichzeitig die lokale Chipproduktion nutzen, um 80 % der Inlandsnachfrage nach den zahlreichen Smartphones, PCs und anderen Geräten zu decken, die seine 1,4 Milliarden Bürger täglich nutzen. All diese Elemente dürften die Marktexpansion unterstützen.
- Darüber hinaus gibt es in der Region mehrere Akteure auf dem Halbleitermarkt, darunter Samsung, Intel und TSMC. Diese Firmen haben anerkannt, dass ab 2023 die Produktion von Logikgeräten mit der 3-nm- oder 2-nm-Technologiegeneration schrittweise von den Arbeitspferd-FinFET-Transistor-Architekturen auf nanoblattähnliche Architekturen umgestellt wird.
- Darüber hinaus wird der drittgrößte Mischkonzern in Südkorea, die SK Group, im April 2022 Yes Powertechnix übernehmen, den einzigen inländischen Hersteller von Leistungshalbleitern auf Basis einer Komponente aus Silizium und Karbid (SiC), die sich zu einem Schlüsselbestandteil von entwickeln Elektrofahrzeuge im Rahmen einer gruppenweiten Anstrengung zur Stärkung des batteriebezogenen Geschäfts. SK Inc. sagte, es werde Managementrechte und weitere 120 Milliarden KRW (95 Millionen US-Dollar) erwerben, um 95,8 % von Yes Powertechnix zu erwerben. Darüber hinaus investierte das Unternehmen kürzlich 26,8 Milliarden KRW, um einen Anteil von 33,6 % an Yes Powertechnix zu erwerben. Eine solche Entwicklung könnte die Nachfrage in der Region ankurbeln.
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Branchenüberblick über Transistoren der nächsten Generation
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation ist hart umkämpft. Die Halbleiterindustrie selbst befindet sich in einer Phase der Spezialisierung. In der Vergangenheit konzentrierte sich die Industrie auf die Herstellung von Computerchips, die mehrere allgemeine Funktionen erfüllen konnten. Diese Chips waren in gewissem Maße miteinander verwandt. Heutzutage sind die Anwendungen von Halbleitern jedoch nuancierter und differenzierter, was zur Entstehung von Nischenanbietern mit spezialisiertem Fachwissen in verschiedenen Branchen führt. Darüber hinaus lagern in dieser Branche viele Akteure ihre Funktionalitäten aus, mit Ausnahme einiger großer Player wie Intel, die Halbleiterprodukte entwerfen, fertigen und fertigen. Dadurch ist der Sektor eng mit den globalen Lieferketten verbunden und die Branche ist hart umkämpft und stark kooperativ.
- Juni 2022 – GaN Systems, der multinationale Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern (Galliumnitrid), stellt einen neuen Transistor im branchenweit breitesten Portfolio an GaN-Leistungstransistoren vor. Der GS-065-018-2-L erweitert das leistungsstarke und kostengünstige Transistorportfolio des Unternehmens und zeichnet sich durch einen geringeren Betriebswiderstand, eine erhöhte Robustheit und thermische Leistung sowie eine 850-V-VDS-Bewertung (Transient) aus.
Marktführer bei Transistoren der nächsten Generation
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NXP Semiconductors N.V.
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Infineon Technologies AG
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STMicroelectronics N.V.
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Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
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Texas Instruments Incorporated
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Marktnachrichten für Transistoren der nächsten Generation
- September 2022 – EPC Power Conversion Corporation kündigt den EPC2050 an, einen 350-V-GaN-Transistor mit einem maximalen RDS(on) von 80 mΩ und einem gepulsten Ausgangsstrom von 26 A. Der EPC2050 misst nur 1,95 mm x 1,95 mm und ermöglicht so EPC2050-basierte Lösungen zehnmal kleiner als Lösungen mit gleichwertigen Siliziumgeräten.
- Juli 2022 – Magnachip Semiconductor Corporation gab bekannt, dass das Unternehmen einen neuen 24-V-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET) für kabellose Kopfhörerbatterien vorgestellt hat. Der neue 24-V-MOSFET erfüllt das Ziel der Batterieentwickler, die Batterielebensdauer nach einer Schnellladung zu verlängern, indem er den Leitungsverlust reduziert. Die Kernzellendichte dieses neuen Produkts wurde im Vergleich zur Vorgängerversion um 30 % erhöht, während das Design der Kernzelle, des Abschlusses und der Source-Pads verbessert wurde, um den RDS(on) um 24 % zu reduzieren.
- März 2022 – NXP Semiconductors kündigte neue HF-GaN-Leistungstransistoren für aktive 32T32R-Antennensysteme an, die seine am meisten in Verzug geratene proprietäre Galliumnitrid-Technologie (GaN) verwenden. Die einzigartige Serie ergänzt NXPs bestehendes Portfolio an diskreten GaN-Leistungsverstärkerlösungen für 64T64R-Funkgeräte und schützt alle Mobilfunkfrequenzbänder von 2,3 GHz bis 4,0 GHz.
Marktbericht für Transistoren der nächsten Generation – Inhaltsverzeichnis
1. EINFÜHRUNG
1.1 Studienergebnisse
1.2 Studienannahmen
1.3 Umfang der Studie
2. FORSCHUNGSMETHODIK
3. ZUSAMMENFASSUNG
4. MARKTDYNAMIK
4.1 Marktübersicht
4.2 Einführung in die Marktdynamik
4.3 Marktführer
4.3.1 Technologische Fortschritte führen zu einer Nachfrage nach höheren Gerätedichten
4.3.2 Verbreitung von Unterhaltungselektronik
4.4 Marktbeschränkungen
4.4.1 Die Kosten für die Aufrechterhaltung des Mooreschen Gesetzes werden bei niedrigen Erträgen immer höher
4.5 Analyse der Branchenwertschöpfungskette
4.6 Branchenattraktivität – Porters Fünf-Kräfte-Analyse
4.6.1 Bedrohung durch neue Marktteilnehmer
4.6.2 Verhandlungsmacht der Käufer
4.6.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten
4.6.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte
4.6.5 Wettberbsintensität
5. MARKTSEGMENTIERUNG
5.1 Nach Typ
5.1.1 Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT)
5.1.2 Bipolarer Sperrschichttransistor (BJT)
5.1.3 Feldeffekttransistoren (FET)
5.1.4 Multiple-Emitter-Transistor (MET)
5.1.5 Dual-Gate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
5.2 Nach Endverbraucherbranche
5.2.1 Luft- und Raumfahrt & Verteidigung
5.2.2 Industriell
5.2.3 Telekommunikation
5.2.4 Unterhaltungselektronik
5.3 Nach Geographie
5.3.1 Nordamerika
5.3.2 Europa
5.3.3 Asien-Pazifik
5.3.4 Lateinamerika
5.3.5 Naher Osten und Afrika
6. WETTBEWERBSFÄHIGE LANDSCHAFT
6.1 Firmenprofile
6.1.1 NXP Semiconductors N.V.
6.1.2 Infineon Technologies AG
6.1.3 STMicroelectronics N.V.
6.1.4 Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
6.1.5 Texas Instruments Incorporated
6.1.6 Intel Corporation
6.1.7 GLOBALFOUNDRIES Inc.
6.1.8 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company
6.1.9 Samsung Electronics Co., Ltd
6.1.10 Microchip Technology Inc.
7. INVESTITIONSANALYSE
8. ZUKUNFT DES MARKTES
Branchensegmentierung für Transistoren der nächsten Generation
Ein Transistor ist ein Halbleiterbauelement, das elektrische Signale und Leistung verstärkt oder schaltet. Der Transistor ist einer der Grundbausteine der modernen Elektronik. Die Studie analysiert den Markt für verschiedene Arten von Transistoren, die sich weiterentwickeln und in ihrem Herstellungsprozess neue Materialien außer Silizium verwenden.
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation ist nach Typ segmentiert (High Electron Mobility Transistor (HEMT), Bipolar Junction Transistor (BJT), Feldeffekttransistoren (FET), Multiple Emitter Transistor (MET), Dual Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effective Transistor). Endverbraucherindustrie (Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Industrie, Telekommunikation, Unterhaltungselektronik) und Geographie. Die Marktgrößen und Prognosen werden für alle oben genannten Segmente wertmäßig (in Mio. USD) angegeben. Die Auswirkungen von Covid-19 auf den Markt und seine betroffenen Komponenten werden ebenfalls im Rahmen der Studie behandelt. Darüber hinaus wurde in der Umfrage zu Fahrern und Rückhaltesystemen auf die Störung der Faktoren eingegangen, die die Expansion des Marktes beeinflussen.
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| Nach Endverbraucherbranche | ||
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| Nach Geographie | ||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für Transistoren der nächsten Generation
Wie groß ist der Markt für Transistoren der nächsten Generation?
Der Markt für Transistoren der nächsten Generation wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 4 % verzeichnen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation?
NXP Semiconductors N.V., Infineon Technologies AG, STMicroelectronics N.V., Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.), Texas Instruments Incorporated sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für Transistoren der nächsten Generation tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region im Markt für Transistoren der nächsten Generation?
Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für Transistoren der nächsten Generation?
Im Jahr 2024 hat Nordamerika den größten Marktanteil am Markt für Transistoren der nächsten Generation.
Welche Jahre deckt dieser Markt für Transistoren der nächsten Generation ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für Transistoren der nächsten Generation für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Transistoren der nächsten Generation für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
Branchenbericht zu Transistoren der nächsten Generation
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Transistoren der nächsten Generation im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse der Transistoren der nächsten Generation umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.
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