GaN-Halbleitergeräte Marktgröße

Marktanalyse für Galliumnitrid (GaN)-Halbleiterbauelemente

Der Markt für GaN-Halbleitergeräte wird im Prognosezeitraum voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 17,21 % verzeichnen. GaN (Galliumnitrid) sorgt für einen innovativen Wandel im gesamten Leistungselektroniksektor. Seit Jahrzehnten sind siliziumbasierte Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) ein integraler Bestandteil der modernen Alltagswelt und helfen dabei, Energie in Strom umzuwandeln. GaN ersetzt Silizium als Rückgrat der Leistungsschalttechnologie, da es den wachsenden Anforderungen mit besserer Leistung, Effizienz und Systemkosten des Stromversorgungssystems gerecht werden kann

• GaN wird zur Herstellung von Halbleiter-Leistungsbauelementen, HF-Komponenten und Leuchtdioden (LEDs) verwendet. Es hat die Technologie für Siliziumhalbleiter revolutioniert, die in HF-, Leistungsumwandlungs- und Analoganwendungen eingesetzt werden. Erhöhte Halbleiterausgaben wirken sich positiv auf das Wachstum des betrachteten Marktes aus.
• Außerdem wird der Markt für GaN-Halbleiterbauelemente durch den wachsenden Bedarf an Hochfrequenz auf dem Halbleitermarkt, das Wachstum der Unterhaltungselektronikindustrie, insbesondere bei LED-basierten Beleuchtungen und Displays, und die Zunahme von Elektrofahrzeugen, Stromversorgung, und Photovoltaik-Wechselrichter.
• Darüber hinaus bietet GaN im Vergleich zu Silizium und Galliumarsenid Kosteneffizienz und den Wegfall von Kühlanforderungen. Darüber hinaus sind die Produktionskosten eines GaN-Geräts viel niedriger als die Produktionskosten eines MOSFET-Geräts, da GaN-Geräte mit Standard-Siliziumherstellungsverfahren in denselben Fabriken hergestellt werden, in denen auch herkömmliche Siliziumhalbleiter hergestellt werden, und auch GaN-Geräte hergestellt werden viel kleiner bei gleicher Funktionsleistung.
• Die Hersteller von Halbleitergeräten integrieren eine zunehmende Anzahl passiver Komponenten pro Schaltkreis, was zu einer höheren Komplexität des Schaltkreisdesigns und Einschränkungen beim physischen Zugang führt. Dies würde eine umfangreiche Strukturierung erfordern, bei der fehlerfreie Masken verwendet werden, um die Struktur fehler- und defektfrei auf Wafer zu übertragen. Daher ist der dringende Bedarf der OEMs an einem Vorsprung bei der Geräteleistung der treibende Faktor für den untersuchten Markt.
• Darüber hinaus werden Marktanbieter durch die zunehmende Entwicklung von Wide-Bandgap-Materialien (WBG) dazu angeregt, Produkte für kleine Marktsegmente ohne Leistungseinbußen herzustellen. GaN stellt einige einzigartige Herausforderungen an die wesentlichen passiven Komponenten, die in Stromumwandlungs- und Motorantriebsschaltungen verwendet werden, um mit der Innovationsgeschwindigkeit im Halbleiterprozess Schritt zu halten.
• Die COVID-19-Pandemie hat weltweit zu enormen Störungen der Lieferketten in allen Branchen geführt, weshalb viele Unternehmen weltweit ihre Geschäftstätigkeit eingestellt oder reduziert haben, um die Ausbreitung des Virus einzudämmen. Die Pandemie hat sich auf den untersuchten Markt ausgewirkt und zu einem Rückgang des Betriebsniveaus in der gesamten Rohstoffproduktion und Lieferkette für die Komponentenproduktion geführt. Dies deutet auf einen Umsatzrückgang in verschiedenen Ländern und Regionen hin.