Marktanteil von China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Industrie
Der Markt für dynamische Direktzugriffsspeicher in China ist hart umkämpft und wird von etablierten Akteuren dominiert. Obwohl der Markt das Aufkommen neuer Akteure, insbesondere lokaler Akteure, erlebt, wird erwartet, dass die Global Player den Markt vorerst weiterhin dominieren werden. Die Anbieter verfolgen verschiedene Strategien, darunter neue Produktentwicklungen, Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen, um ihre Marktpräsenz weiter auszubauen. Zu den wichtigsten Marktteilnehmern gehören Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., Sk hynix Inc. und ChangXin Memory Technologies Inc
- Mai 2023 - SK hynix, ein führender Hersteller von DRAMs, kündigte die Erweiterung seiner Legacy-Prozesse in seiner Fabrik in Wuxi, China, an, anstatt aufgrund des US-Verbots für Halbleiterfertigungsanlagen im Land auf fortschrittlichere Produktionsprozesse mit Schwerpunkt auf DDR3- und DDR4-4-Gbit-Produkten umzusteigen.
- Juli 2022 - Samsung, ein führender Anbieter von DRAM-Chips in China und weltweit, hat einen neuen DRAM-Chip (Dynamic Random Access Memory) mit verbesserter Energieeffizienz und höherer Geschwindigkeit entwickelt. Nach Angaben des Unternehmens verfügt die 24-Gigabit-Grafik mit doppelter Datenrate 6 (GDDR6) über eine Datenverarbeitungsgeschwindigkeit, die über 30 % schneller ist als bei bestehenden Produkten, und verwendet die 10-Nanometer-Technologie der dritten Generation.
China Marktführer für Dynamic Random Access Memory (DRAM)
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Samsung Electronics Co. Ltd
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Micron Technology Inc.
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SK Hynix Inc.
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ChangXin Memory Technologies, Inc.
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Winbond Electronics (Suzhou) Limited
*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
