China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktgrößen- und Anteilsanalyse - Wachstumstrends und Prognosen (2024 - 2029)

Der chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) ist nach Architektur (DDR3, DDR4, DDR5 und DDR2) und Anwendung (Smartphones/Tablets, PCs/Laptops, Rechenzentren, Grafiken, Konsumgüter und Automobil) unterteilt. Die Marktgrößen und -prognosen werden in Bezug auf den Wert (Mrd. USD) und das Volumen (Mrd. Einheiten) für alle oben genannten Segmente bereitgestellt.

Marktgröße für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China

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China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktzusammenfassung
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Studienzeitraum 2019 - 2029
Basisjahr für die Schätzung 2023
Prognosedatenzeitraum 2024 - 2029
Historischer Datenzeitraum 2019 - 2022
CAGR 3.95 %
Marktkonzentration Niedrig

Hauptakteure

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Markt Hauptakteure

*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert

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China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktanalyse

Der chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) wird im laufenden Jahr auf 20,99 Milliarden US-Dollar geschätzt. Es wird erwartet, dass es eine CAGR von etwa 3,95 % verzeichnen und bis zum Ende des Prognosezeitraums 26,46 Mrd. USD erreichen wird. Da die Verbraucher heutzutage aufgrund der zunehmenden Einführung moderner Kommunikation und fortschrittlicher digitaler Technologien sichere Datenspeichersysteme mit zunehmenden Kapazitäten benötigen, wächst die Nachfrage nach fortschrittlichen Speicherlösungen wie DRAM.

  • DRAM oder Dynamic Random Access Memory ist eine bestimmte Art von RAM (Random Access Memory), die in modernen Desktops, Laptops und anderen Computersystemen weit verbreitet ist. DRAM fungiert als temporäre Speicherbank für einen Computer, auf dem Daten für einen schnellen, kurzfristigen Zugriff gespeichert werden, da sie deutlich schneller sind als Speichergeräte wie SSDs.
  • China gehört zu den Hauptverbrauchern von DRAMs, da das Land in den letzten Jahren ein schnelles infrastrukturelles Wachstum erlebt hat, das die Durchdringung fortschrittlicher digitaler Technologien und Computergeräte erheblich verbessert hat. Nach Angaben des Nationalen Statistikamtes Chinas erreichte der Anteil des E-Commerce am gesamten Einzelhandelsumsatz von Konsumgütern in China im Jahr 2022 27,2 %. Das Wachstum des E-Commerce hat sich positiv auf die Einführung von Computergeräten ausgewirkt.
  • Die wachsende Urbanisierungsrate wirkt sich auch positiv auf das Wachstum des Marktes in China aus, da sie die Nachfrage nach mobilen Computergeräten wie Smartphones, Tablets und Laptops erheblich erhöht hat. Da sich die Regierung darauf konzentriert, die Urbanisierungsrate weiter zu erhöhen, wird erwartet, dass die Nachfrage nach solchen Produkten steigen wird, was zu einer Nachfrage nach DRAMs führt. Nach Angaben des Nationalen Statistikamtes Chinas lebten beispielsweise im Jahr 2022 etwa 65,2 % der Gesamtbevölkerung in China in Städten.
  • Auch die IT- und Rechenzentrumsbranche floriert im Land angesichts der wachsenden Datenmenge, die jedes Jahr generiert wird. So hat beispielsweise Chinas Nationale Entwicklungs- und Reformkommission (NDRC) kürzlich ihre Pläne zur Einrichtung von vier weiteren Rechenzentrums-Megaclustern im ganzen Land vorgestellt. Solche Trends begünstigen auch das Wachstum des untersuchten Marktes im Land.
  • Technische Einschränkungen von DRAM, wie z. B. eine höhere Leistung als SRAM, da die Kondensatoren häufig aufgeladen werden müssen, um ihre Ladung aufrechtzuerhalten, gehören jedoch zu den Hauptfaktoren, die das Wachstum des untersuchten Marktes im Land herausfordern. Darüber hinaus schafft der Handelsstreit zwischen den USA und China Hindernisse für die Entwicklung des DRAM-Marktes in China.
  • Auf dem Markt wurden bemerkenswerte Auswirkungen des Ausbruchs von COVID-19 beobachtet. Im Gegensatz dazu wirkte sich der erste Ausbruch aufgrund von Lieferketten- und Produktionsunterbrechungen, die durch Lockdowns in verschiedenen Regionen verursacht wurden, nachteilig auf das Wachstum aus. Es wird jedoch erwartet, dass der Markt in der Zeit nach COVID aufgrund eines Nachfragewachstums in den wichtigsten Endverbraucherbranchen und des Aufkommens lokaler Akteure in der DRAM-Fertigungslandschaft wachsen wird.

Markttrends für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China

Wachsende Investitionen in Rechenzentren zur Förderung des Wachstums

  • China ist sowohl geografisch als auch bevölkerungsmäßig ein großes Land. Nach Schätzungen des Internationalen Währungsfonds (IWF) wird die Bevölkerung Chinas im Jahr 2023 voraussichtlich etwa 1.411,96 Millionen erreichen. Ein großer Teil dieser Bevölkerung ist digital gebildet und nutzt digitale Dienste in der einen oder anderen Form. Die Internetdurchdringung spielt bei diesem Trend eine große Rolle. Laut CNNIC lag die Internetdurchdringungsrate beispielsweise im Jahr 2022 in China bei etwa 75,6 %.
  • Aufgrund solcher Trends florieren internetbasierte Dienste und Unternehmen im Land. Zum Beispiel hat die E-Commerce-Branche im Land in den letzten Jahren erheblich expandiert. Nach Angaben des Handelsministeriums im Jahr 2022 erreichte der gesamte inländische E-Commerce-Umsatz in China 13,79 Billionen CNY (~2,04 Billionen USD), was einem Anstieg von 4 % gegenüber dem Vorjahr entspricht.
  • Die wachsende Zahl von Internetnutzern und die jüngste Trendwende, bei der Unternehmen im ganzen Land zunehmend digitale Lösungen einsetzen, haben die Menge der generierten Daten erheblich erhöht und damit die Nachfrage nach Speicherplatz und Investitionen in Rechenzentren erhöht.
  • Laut Cloudscene belegte China den vierten Platz in Bezug auf die Anzahl der Rechenzentren im Land, da es im Jahr 2022 etwa 443 Rechenzentren gab. Es wird erwartet, dass diese Zahl steigen wird, da mehrere öffentliche und private Organisationen ihre Investitionen in Rechenzentren erhöhen. So hat CapitaLand im Februar 2023 einen neuen, auf China ausgerichteten Fonds für die Entwicklung von Rechenzentren aufgelegt. Die Organisation stellte auch ihre Pläne für zwei neue Einrichtungen außerhalb Pekings vor.
  • Regierungsinitiativen spielen auch eine entscheidende Rolle für das Wachstum der Rechenzentrumsbranche im Land. So hat die chinesische Regierung kürzlich ein neues nationales Projekt zum Aufbau eines zentralisierten Rechenzentrumssystems in acht Regionen gestartet. Das Projekt zielt darauf ab, die wachsende Nachfrage des Landes nach Computern und Datenanalysen zu kanalisieren.
China Dynamic Random Access Memory (DRAM)-Markt Wichtige Länder mit der höchsten Anzahl von Rechenzentren, weltweit, 2022

Nachfrage im gesamten Automobilsegment wird deutlich wachsen

  • China gehört zu den größten Automobilmärkten in Bezug auf Produktion und Verbrauch. Aufgrund günstiger staatlicher Vorschriften und der Verfügbarkeit kostengünstiger qualifizierter Arbeitskräfte haben fast alle globalen Automobilunternehmen ihre Produktionsstätten im Land. Nach Angaben der China Association of Automobile Manufacturers (CAAM) wurden beispielsweise im April 2022 etwa 210.000 Einheiten von Nutzfahrzeugen und 996.000 Pkw im Land hergestellt.
  • Aufgrund der Präsenz einer großen Verbraucherbasis gehört das Land auch zu den Hauptverbrauchern von Automobilen. Dies ist offensichtlich, da im April 2022 etwa 965 Tausend Personen- und 216 Tausend Nutzfahrzeuge im Land verkauft wurden. (Quelle CAAM).
  • In den letzten Jahren haben sich die Anwendungen von IKT-Technologien in Automobilen allmählich vom Unterhaltungs-Audio- und Videowiedergabe- und Navigationssystem auf tiefgreifendes Lernen und Vehicle-to-Everything (V2X)-Kommunikation verlagert, um das letztendliche Ziel autonomer Fahrzeuge zu erreichen. Um dieses Ziel zu erreichen, werden Halbleiter und Speichergeräte eine entscheidende Rolle spielen.
  • DRAM ist eine solche Komponente, die diese Fortschritte in der Automobilindustrie ermöglicht. Zum Beispiel wird es häufig in hochauflösenden Displays und Displays wie Heads-up-Displays und Instrumentenkonsolen verwendet, die dem Fahrer sicherheitskritische Informationen liefern. Darüber hinaus erzeugen die Automobilsensoren und -kameras, die wichtige Eingaben für das ADAS-System liefern, eine große Datenmenge und benötigen daher die Bandbreite und Kapazität von DRAM.
China Dynamic Random Access Memory (DRAM)-Markt Monatliche Automobilverkäufe, nach Typ, in Tausend Einheiten, China, Januar - Apr, 2022

China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Branchenübersicht

Der Markt für dynamische Direktzugriffsspeicher in China ist hart umkämpft und wird von etablierten Akteuren dominiert. Obwohl der Markt das Aufkommen neuer Akteure, insbesondere lokaler Akteure, erlebt, wird erwartet, dass die Global Player den Markt vorerst weiterhin dominieren werden. Die Anbieter verfolgen verschiedene Strategien, darunter neue Produktentwicklungen, Partnerschaften, Fusionen und Übernahmen, um ihre Marktpräsenz weiter auszubauen. Zu den wichtigsten Marktteilnehmern gehören Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., Sk hynix Inc. und ChangXin Memory Technologies Inc.

  • Mai 2023 - SK hynix, ein führender Hersteller von DRAMs, kündigte die Erweiterung seiner Legacy-Prozesse in seiner Fabrik in Wuxi, China, an, anstatt aufgrund des US-Verbots für Halbleiterfertigungsanlagen im Land auf fortschrittlichere Produktionsprozesse mit Schwerpunkt auf DDR3- und DDR4-4-Gbit-Produkten umzusteigen.
  • Juli 2022 - Samsung, ein führender Anbieter von DRAM-Chips in China und weltweit, hat einen neuen DRAM-Chip (Dynamic Random Access Memory) mit verbesserter Energieeffizienz und höherer Geschwindigkeit entwickelt. Nach Angaben des Unternehmens verfügt die 24-Gigabit-Grafik mit doppelter Datenrate 6 (GDDR6) über eine Datenverarbeitungsgeschwindigkeit, die über 30 % schneller ist als bei bestehenden Produkten, und verwendet die 10-Nanometer-Technologie der dritten Generation.

China Marktführer für Dynamic Random Access Memory (DRAM)

  1. Samsung Electronics Co. Ltd

  2. Micron Technology Inc.

  3. SK Hynix Inc.

  4. ChangXin Memory Technologies, Inc.

  5. Winbond Electronics (Suzhou) Limited

*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert

Marktkonzentration für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China
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China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Marktnachrichten

  • Juni 2022 - Ein staatlich unterstütztes chinesisches Start-up SwaySure, der Kürze halber auch als Sheng Weixu oder Shenzhen Sheng Weixu Technology Company bekannt, hat Yukio Sakamoto, einen japanischen Chipmanager, im Rahmen einer Strategie zur Gründung einer lokalen DRAM-Industrie eingestellt. Die wichtigsten börsennotierten Produkte des Unternehmens sind Allzweck-DRAM-Chips für Smartphones und Rechenzentren, die das Unternehmen weiter ausbauen will.
  • Januar 2022 - Micron Technology, ein US-amerikanischer Speicherchip-Riese, kündigte an, dass er seine DRAM-Design-Aktivitäten in Shanghai bis Ende des Jahres schließen wird. Nach Angaben des Unternehmens konzentriert sich die Änderung auf die Produktion von NAND-Speicher in Shanghai.

Table of Contents

  1. 1. EINFÜHRUNG

    1. 1.1 Studienannahmen und Marktdefinition

      1. 1.2 Umfang der Studie

      2. 2. FORSCHUNGSMETHODIK

        1. 3. ZUSAMMENFASSUNG

          1. 4. MARKTEINBLICKE

            1. 4.1 Marktübersicht

              1. 4.2 Branchen-Wertschöpfungskettenanalyse

                1. 4.3 Attraktivität der Branche – Porters Fünf-Kräfte-Analyse

                  1. 4.3.1 Bedrohung durch Neueinsteiger

                    1. 4.3.2 Verhandlungsmacht der Käufer

                      1. 4.3.3 Verhandlungsmacht der Lieferanten

                        1. 4.3.4 Bedrohung durch Ersatzprodukte

                          1. 4.3.5 Wettberbsintensität

                          2. 4.4 Makroökonomische Analyse des Marktes

                          3. 5. MARKTDYNAMIK

                            1. 5.1 Marktführer

                              1. 5.1.1 Steigende Nachfrage nach High-End-Smartphones und PCs

                                1. 5.1.2 Wachsende Investitionen in Rechenzentren

                                2. 5.2 Marktbeschränkungen

                                  1. 5.2.1 Handelsstreit mit den USA

                                3. 6. PREISANALYSE (globale Ebene)

                                  1. 6.1 Spotpreis (pro GB) in USD Entwicklung nach Dram-Typ (DDR3, DDR4 usw.) von 2015-2020 und darüber hinaus

                                    1. 6.2 Analyse der Preistrends

                                    2. 7. MARKTSEGMENTIERUNG

                                      1. 7.1 Nach Architektur (Wert und Volumen)

                                        1. 7.1.1 DDR3

                                          1. 7.1.2 DDR4

                                            1. 7.1.3 DDR5

                                              1. 7.1.4 DDR2/Andere

                                              2. 7.2 Nach Anwendung (Wert und Volumen)

                                                1. 7.2.1 Smartphone/Tablets

                                                  1. 7.2.2 PCs/Laptops

                                                    1. 7.2.3 Daten Center

                                                      1. 7.2.4 Grafik

                                                        1. 7.2.5 Verbraucherprodukte

                                                          1. 7.2.6 Automobilindustrie

                                                            1. 7.2.7 Andere Anwendungen

                                                          2. 8. WETTBEWERBSLANDSCHAFT

                                                            1. 8.1 Firmenprofile

                                                              1. 8.1.1 Samsung Electronics Co. Ltd

                                                                1. 8.1.2 Micron Technology Inc.

                                                                  1. 8.1.3 SK Hynix Inc.

                                                                    1. 8.1.4 ChangXin Memory Technologies Inc.

                                                                      1. 8.1.5 Nanya Technology Corporation

                                                                        1. 8.1.6 Winbond Electronics (Suzhou) Limited

                                                                          1. 8.1.7 Kingston Technology

                                                                            1. 8.1.8 Transcend Information

                                                                              1. 8.1.9 Infineon Technologies AG

                                                                            2. 9. INVESTITIONSANALYSE

                                                                              1. 10. ZUKUNFT DES MARKTES

                                                                                bookmark Sie können Teile dieses Berichts kaufen. Überprüfen Sie die Preise für bestimmte Abschnitte
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                                                                                Dynamic Random Access Memory (DRAM) ist eine Art RAM-Gerät (Random Access Memory), das Daten auf einem anderen Kondensator speichert. Diese Art von Speichergerät ist deutlich schneller als andere Speichertypen, wie z. B. Solid-State-Laufwerke (SSDs). Daher nimmt seine Akzeptanz in modernen Computer- und Speichergeräten zu.

                                                                                Die Studie analysiert umfassend die Nachfrage, technologischen Trends und Wachstumstrends von DRAMs in verschiedenen Endverbraucherbranchen in China. Die Studie analysiert auch die jüngsten Entwicklungen und die sich ändernde Marktdynamik, um einen ganzheitlichen Überblick über die Marktchancen zu geben. Die Studie segmentiert den Markt nach Architektur und Anwendung und enthält einen Abschnitt, in dem die Auswirkungen von COVID-19 auf die chinesische DRAM-Industrie analysiert werden. Die Marktgrößen und Prognosen werden in Bezug auf Wert (Mrd. USD) und Volumen (Mrd. Einheiten) für alle oben genannten Segmente bereitgestellt.

                                                                                Nach Architektur (Wert und Volumen)
                                                                                DDR3
                                                                                DDR4
                                                                                DDR5
                                                                                DDR2/Andere
                                                                                Nach Anwendung (Wert und Volumen)
                                                                                Smartphone/Tablets
                                                                                PCs/Laptops
                                                                                Daten Center
                                                                                Grafik
                                                                                Verbraucherprodukte
                                                                                Automobilindustrie
                                                                                Andere Anwendungen

                                                                                Frequently Asked Questions

                                                                                Der chinesische Markt für Dynamic Random Access Memory (DRAM) wird im Prognosezeitraum (2024-2029) voraussichtlich eine CAGR von 3,95 % verzeichnen

                                                                                Samsung Electronics Co. Ltd, Micron Technology Inc., SK Hynix Inc., ChangXin Memory Technologies, Inc., Winbond Electronics (Suzhou) Limited sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem chinesischen DRAM-Markt (Dynamic Random Access Memory) tätig sind.

                                                                                Der Bericht deckt die historische Marktgröße des chinesischen DRAM-Marktes (Dynamic Random Access Memory) für die Jahre ab 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.

                                                                                China Dynamic Random Access Memory (DRAM) Branchenbericht

                                                                                Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse von Dynamic Random Access Memory (DRAM) in China enthält einen Marktprognoseausblick für 2024 bis 2029 und einen historischen Überblick. Erhalten Ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenloser Bericht als PDF-Download.

                                                                                close-icon
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