| Studienzeitraum | 2019 - 2029 |
| Basisjahr für die Schätzung | 2023 |
| CAGR | 6.20 % |
| Schnellstwachsender Markt | Asien-Pazifik |
| Größter Markt | Nordamerika |
| Marktkonzentration | Niedrig |
Hauptakteure*Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert |
Marktanalyse für 3D-TSV-Geräte
Der Markt für 3D-TSV-Geräte verzeichnete im Prognosezeitraum 2021 – 2026 eine CAGR von 6,2 %. Um Platz im Paket zu sparen, insbesondere für Produkte der nächsten Generation, und um die Nachfrage von Edge-Computing-Anwendungen zu befriedigen, die kürzere Reaktionszeiten und andere erfordern Halbleiterhersteller nutzen zunehmend Silizium-Via-Techniken (TSV) für die Chipstapelung.
- Die steigende Nachfrage nach Miniaturisierung elektronischer Geräte treibt das Wachstum des 3D-TSV-Marktes voran. Diese Produkte können durch Heterosystemintegration erreicht werden, was zu einer zuverlässigeren, fortschrittlichen Verpackung führen kann. Mit extrem kleinen MEMS-Sensoren und 3D-Gehäuseelektronik kann man Sensoren praktisch überall platzieren und Geräte in rauen Umgebungen in Echtzeit überwachen, um die Zuverlässigkeit und Betriebszeit zu erhöhen.
- 3D-TSV im dynamischen Direktzugriffsspeicher (DRAM), der jedes Datenbit in einem separaten winzigen Kondensator innerhalb eines integrierten Schaltkreises speichert, treibt das Wachstum des 3D-TSV-Marktes voran. Microns 3D-DRAM mit neu gestaltetem DRAM erzielt erhebliche Verbesserungen bei Leistung und Timing, was bei der Entwicklung fortschrittlicher thermischer Modellierung hilft.
- Es wird erwartet, dass der jüngste COVID-19-Ausbruch zu erheblichen Ungleichgewichten in der Lieferkette des untersuchten Marktes führen wird, da der asiatisch-pazifische Raum, insbesondere China, einer der größten Einflussfaktoren auf den untersuchten Markt ist. Darüber hinaus haben viele lokale Regierungen im asiatisch-pazifischen Raum im Rahmen eines langfristigen Programms in die Halbleiterindustrie investiert und gehen daher davon aus, dass das Marktwachstum wieder ansteigt. Beispielsweise hat die chinesische Regierung rund 23 bis 30 Milliarden US-Dollar aufgebracht, um die zweite Phase ihres National IC Investment Fund 2030 zu finanzieren.
- Allerdings sind thermische Probleme aufgrund einer hohen Einarbeitungsrate ein herausfordernder Faktor für das Wachstum des 3D-TSV-Marktes. Da Silizium-Via (TSV) die Schlüsselverbindung bei der 3D-IC-Integration darstellt, beträgt der Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) zwischen Silizium und Kupfer mehr als 10 ppm/K, was bei thermischer Belastung zu thermischer Belastung führt.
Markttrends für 3D-TSV-Geräte
LED-Verpackungen werden einen erheblichen Marktanteil haben
- Der zunehmende Einsatz von Leuchtdioden (LED) in Produkten hat die Entwicklung von Geräten mit höherer Leistung, größerer Dichte und geringeren Kosten vorangetrieben. Der Einsatz der dreidimensionalen (3D) Packaging Through-Silicon Via (TSV)-Technologie ermöglicht im Gegensatz zur 2D-Packung eine hohe Dichte vertikaler Verbindungen.
- Die integrierte TSV-Schaltung reduzierte die Verbindungslängen und erfordert daher kleinere parasitäre Kapazitäten, Induktivitäten und Widerstände, wenn eine Kombination aus monolithischer und multifunktionaler Integration effizient durchgeführt wird, was Hochgeschwindigkeitsverbindungen mit geringem Stromverbrauch ermöglicht.
- Das eingebettete Design mit dünnen Siliziummembranen an der Unterseite optimiert den Wärmekontakt und minimiert somit den Wärmewiderstand. Through Silicon Via (TSV) stellt den elektrischen Kontakt zu den oberflächenmontierten Geräten her und verspiegelte Seitenwände erhöhen das Reflexionsvermögen des Gehäuses und verbessern die Lichteffizienz.
- Die SÜSS AltaSpray-Technologie ermöglicht die Beschichtungsintegration von 90°-Ecken, KOH (Kaliumhydroxid) geätzten Hohlräumen und Through Silicon Via (TSV) im Bereich von wenigen Mikrometern bis 600 μm oder mehr. Die Fähigkeit, konforme Resistbeschichtungen auf anspruchsvollen Topografien wie TSV herzustellen, macht sie zur idealen Wahl für das Wafer-Level-Packaging bei LEDs, was das Marktwachstum steigert.
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Der asiatisch-pazifische Raum wird im Prognosezeitraum die schnellste Wachstumsrate verzeichnen
- Der asiatisch-pazifische Raum ist der am schnellsten wachsende Markt, da Länder in der Region wie China, Japan, Südkorea, Indonesien, Singapur und Australien ein hohes Produktionsniveau in den Bereichen Unterhaltungselektronik, Automobil und Transport verzeichnet haben, was u. a wichtigste Nachfragequelle für den 3D-TSV-Markt.
- Der asiatisch-pazifische Raum ist außerdem eines der aktivsten Produktionszentren der Welt. Die zunehmende Beliebtheit von Smartphones und die Nachfrage nach neuen Speichertechnologien haben das Wachstum der rechenintensiven Unterhaltungselektronik beschleunigt und dadurch eine Vielzahl von Möglichkeiten in dieser Region geschaffen. Da Siliziumwafer häufig zur Herstellung von Smartphones verwendet werden, wird erwartet, dass die Einführung der 5G-Technologie den Verkauf von 5G-Smartphones ankurbeln wird, was den Markt im Telekommunikationssektor wachsen lassen könnte.
- Im April 2019 wird in Korea ein kollektiver laserunterstützter Bondprozess für die 3D-TSV-Integration mit NCP (nichtleitende Paste) durchgeführt, bei dem mehrere TSV-Chips gleichzeitig gestapelt werden können, um die Produktivität zu verbessern und gleichzeitig die Zuverlässigkeit der Lötverbindungen durch Laser- Assisted Bonding (LAB) fortschrittliche Technologie. Diese Lötstellen können das Wachstum in Verbraucher- und Gewerbesegmenten steigern, was das Wachstum des Marktes steigern kann.
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Branchenüberblick über 3D-TSV-Geräte
Der Markt für 3D-TSV-Geräte ist fragmentiert, da der Markt diversifiziert ist und die Existenz großer, kleiner und lokaler Anbieter auf dem Markt für starken Wettbewerb sorgt. Hauptakteure sind Amkor Technology, Inc., GLOBALFOUNDRIES, Micron Technology Inc. usw. Aktuelle Entwicklungen auf dem Markt sind –.
- Oktober 2019 – Samsung hat die branchenweit erste 12-schichtige 3D-Verpackung für DRAM-Produkte entwickelt. Die Technologie nutzt TSVs, um Speichergeräte mit hoher Kapazität und hoher Bandbreite für Anwendungen wie High-End-Grafikkarten, FPGAs und Rechenkarten zu erstellen.
- April 2019 – TSMC zertifizierte ANSYS (ANSS)-Lösungen für seine innovative System-on-Integrated-Chips (TSMC-SoIC) fortschrittliche 3D-Chip-Stacking-Technologie. SoIC ist eine fortschrittliche Verbindungstechnologie für das Multi-Die-Stacking auf Systemebene mithilfe von Through Silicon Via (TSV) und Chip-on-Wafer-Bonding-Prozessen, die Kunden eine höhere Energieeffizienz und Leistung für hochkomplexe und anspruchsvolle Cloud- und Rechenzentrumsanwendungen ermöglicht.
Marktführer bei 3D-TSV-Geräten
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Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC)
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Samsung Group
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Toshiba Corporation
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Pure Storage Inc.
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ASE Group
- *Haftungsausschluss: Hauptakteure in keiner bestimmten Reihenfolge sortiert
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Branchensegmentierung für 3D-TSV-Geräte
Bei den 3D-TSV-Geräten handelt es sich um eine Hochleistungsverbindungstechnik, die über eine vertikale elektrische Verbindung durch einen Siliziumwafer verläuft, was den Stromverbrauch senkt und eine bessere elektrische Leistung bietet. Auf der Grundlage der Produkte umfassen die Teilmärkte MEMs, Bildgebung und Optoelektronik, Speicher, fortschrittliche LED-Verpackungen, CMOS-Bildsensoren und andere, die den Markt antreiben.
| Nach Produkttyp | Bildgebung und Optoelektronik | ||
| Erinnerung | |||
| MEMS/Sensoren | |||
| LED | |||
| Andere Produkte | |||
| Nach Endverbraucherbranche | Unterhaltungselektronik | ||
| Automobil | |||
| IT und Telekommunikation | |||
| Gesundheitspflege | |||
| Andere Endverbraucherbranchen | |||
| Erdkunde | Nordamerika | Vereinigte Staaten | |
| Kanada | |||
| Europa | Deutschland | ||
| Frankreich | |||
| Großbritannien | |||
| Rest von Europa | |||
| Asien-Pazifik | China | ||
| Japan | |||
| Indien | |||
| Rest des asiatisch-pazifischen Raums | |||
| Rest der Welt | |||
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Häufig gestellte Fragen zur Marktforschung für 3D-TSV-Geräte
Wie groß ist der Markt für 3D-TSV-Geräte aktuell?
Der Markt für 3D-TSV-Geräte wird im Prognosezeitraum (2024–2029) voraussichtlich eine jährliche Wachstumsrate von 6,20 % verzeichnen.
Wer sind die Hauptakteure auf dem 3D-TSV-Geräte-Markt?
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC), Samsung Group, Toshiba Corporation, Pure Storage Inc., ASE Group sind die wichtigsten Unternehmen, die auf dem Markt für 3D-TSV-Geräte tätig sind.
Welches ist die am schnellsten wachsende Region im Markt für 3D-TSV-Geräte?
Schätzungen zufolge wird der asiatisch-pazifische Raum im Prognosezeitraum (2024–2029) mit der höchsten CAGR wachsen.
Welche Region hat den größten Anteil am Markt für 3D-TSV-Geräte?
Im Jahr 2024 wird Nordamerika den größten Marktanteil auf dem Markt für 3D-TSV-Geräte haben.
Welche Jahre deckt dieser Markt für 3D-TSV-Geräte ab?
Der Bericht deckt die historische Marktgröße des Marktes für 3D-TSV-Geräte für die Jahre 2019, 2020, 2021, 2022 und 2023 ab. Der Bericht prognostiziert auch die Marktgröße für 3D-TSV-Geräte für die Jahre 2024, 2025, 2026, 2027, 2028 und 2029.
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Branchenbericht zu 3D-TSV-Geräten
Statistiken für den Marktanteil, die Größe und die Umsatzwachstumsrate von 3D-TSV-Geräten im Jahr 2024, erstellt von Mordor Intelligence™ Industry Reports. Die Analyse der 3D-TSV-Geräte umfasst eine Marktprognose bis 2029 und einen historischen Überblick. Holen Sie sich ein Beispiel dieser Branchenanalyse als kostenlosen PDF-Download.
