| فترة الدراسة | 2019 - 2029 |
| السنة الأساسية للتقدير | 2023 |
| CAGR | 29.90 % |
| أسرع سوق نمواً | آسيا والمحيط الهادئ |
| أكبر سوق | أمريكا الشمالية |
| تركيز السوق | واسطة |
اللاعبين الرئيسيين*تنويه: لم يتم فرز اللاعبين الرئيسيين بترتيب معين |
تحليل سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
من المتوقع أن يسجل سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة معدل نمو سنوي مركب قدره 29.9٪ خلال الفترة المتوقعة. من المتوقع أن تستحوذ ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة، وهي ذاكرة غير متطايرة، على حصة في السوق عن طريق استبدال ذاكرة الوصول العشوائي الثابتة وذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية. سيكون الاستبدال ممكنًا نظرًا للفوائد العديدة التي توفرها ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة، مثل كثافة التخزين الكبيرة والتعبئة ثلاثية الأبعاد، مما يسمح بتنسيق طبقات أدوات الذاكرة وتنظيمها في شريحة واحدة، والتبديل السريع للتبادل السريع للمعلومات، واستخدام طاقة أقل لكل دورة تبديل. يمكن لـ ReRAM أيضًا أن تحل محل ذاكرة الفلاش المستخدمة في الهواتف المحمولة والأجهزة الإلكترونية الاستهلاكية الأخرى مثل مشغلات MP3.
- علاوة على ذلك، أدى الاعتماد المتزايد لتكنولوجيا الاستشعار، مثل الأجهزة القابلة للارتداء والأجهزة التي تدعم الذكاء الاصطناعي في مناطق مختلفة في جميع أنحاء العالم، إلى تعزيز الطلب على عمليات نقل البيانات السريعة وكثافة التخزين العالية، والتي بدورها توفر فرصة أو إمكانية هائلة للنمو. سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاوم على مستوى العالم.
- علاوة على ذلك، تستثمر العديد من شركات الذاكرة المتعددة في تقنية ReRAM. على سبيل المثال، في أبريل من العام الماضي، أعلنت شركة CrossBar Inc.، وهي مزود تكنولوجيا الذاكرة غير المتطايرة، عن تطبيقات جديدة لتقنية ReRAM الخاصة بها للاستخدام في التخزين والمعالجة الآمنة، حيث تعد مقاومة الهندسة العكسية والهجمات المادية مطلبًا أساسيًا للنظام. يتم الآن عرض تقنية الشركة للاستخدام في تطبيقات الذاكرة التي تتطلب مستويات أعلى من أمان المحتوى.
- تكتسب ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (ReRAM) قوة جذب كبديل للذاكرة غير المتطايرة (NVM)، خاصة في سياقات السحابة ومراكز البيانات حيث يتحسن الأداء وكفاءة الطاقة باستمرار. أظهرت تقنية ReRAM زمن وصول أقل للقراءة وإصدار كتابة أسرع من ذاكرة الفلاش مع تحقيق طاقة برنامج تبلغ 64 بكسل جول/خلية، وهو ما يمثل تحسنًا بنسبة 20% مقارنة بـ NAND، حيث ينمو الطلب على البيانات من المستخدمين من خلال الخدمات المتميزة مثل بث الفيديو ومن الأجهزة من خلال إنترنت الأشياء (IoT). بالإضافة إلى ذلك، توفر مصفوفات ReRAM العمودية ثلاثية الأبعاد أنظمة فرعية للذاكرة عالية الأداء قادرة على استبدال محركات الأقراص ذات الحالة الثابتة القياسية أو محركات الأقراص ذات الحالة الثابتة المستندة إلى الفلاش في بيئات مراكز البيانات، مما يسمح بمعالجة البيانات وتخزينها واسترجاعها بشكل أسرع في عوامل شكل أصغر بكثير مع استهلاك أقل للطاقة.
- ومع ذلك، فإن التكاليف المرتفعة لذاكرة الوصول العشوائي المقاومة والتعقيد في التطبيقات التكنولوجية المختلفة أصبحت تحديات حاسمة يمكن أن تعيق نمو السوق طوال فترة التنبؤ.
- علاوة على ذلك، من المحتمل أن يعيق جائحة كوفيد-19 النمو الإجمالي المتوقع للسوق، والذي يعزى بشكل أساسي إلى تعطل سلسلة التوريد، حيث تشهد العديد من الشركات ندرة في المكونات مثل المحاثات والمكثفات للتصنيع. ولكن على مدى السنوات اللاحقة، من المتوقع أن يؤدي ابتكار وتنفيذ مواد جديدة إلى تعزيز الطلب على ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة في قطاعات متنوعة في جميع أنحاء العالم.
اتجاهات سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
يؤدي الطلب المتزايد على الأجهزة المتصلة ضمن قطاع الإلكترونيات الاستهلاكية إلى زيادة الطلب على ReRAM
- يمكن أن تقوم ReRAMs بالحساب بشكل أسرع من ذاكرة الوصول العشوائي العادية، وهي أفضل للتطبيقات كثيفة القراءة، وهي مثالية للذاكرة من فئة التخزين في الخوادم. علاوة على ذلك، من المتوقع أن يساهم الطلب المتزايد على الأجهزة الإلكترونية الاستهلاكية على الأجهزة المترابطة، والاستخدام المتزايد لتقنيات الاستشعار، بما في ذلك الأدوات القابلة للارتداء والتي تدعم الذكاء الاصطناعي، والتطورات التي يقوم بها اللاعبون في الصناعة، في نمو السوق.
- على سبيل المثال، في أغسطس من العام الماضي، أطلقت شركة Enphase Energy, Inc.، وهي شركة عالمية لتكنولوجيا الطاقة وأكبر منتج في العالم لأنظمة الطاقة الكهروضوئية وأنظمة التخزين القائمة على العاكس الصغير، تعاونًا جديدًا مع Home Connect. تتيح هذه الشبكة الرقمية التي يمكن الوصول إليها إمكانية التحكم في الأجهزة المنزلية للعديد من الشركات المصنعة من خلال تطبيق واحد.
- تشكل سرعة التبديل الأعلى ميزة رئيسية لـ ReRAM مقارنة بتقنيات التخزين غير المتطايرة الأخرى مثل NAND flash. تستهلك ReRAM طاقة أقل بكثير من فلاش NAND. وهذا يجعلها مناسبة بشكل أفضل للذاكرة في أجهزة الاستشعار للتطبيقات الصناعية والسيارات وإنترنت الأشياء (IoT). الحوسبة العصبية هي تطبيق محتمل آخر لـ ReRAM.
- على مدى السنوات القليلة الماضية، شهدنا طلبًا كبيرًا على الأجهزة المتصلة، مثل الأجهزة القابلة للارتداء وإنترنت الأشياء والأنظمة القائمة على الذكاء الاصطناعي. تُستخدم ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة في هذه الأجهزة لزيادة سعة التخزين. علاوة على ذلك، ومع ظهور المدن الذكية والمنازل الذكية، لا بد أن يزداد عدد الأجهزة المتصلة، الأمر الذي سيؤدي بدوره إلى زيادة الطلب على خوادم ذات سعة ذاكرة قوية.
- ولتلبية متطلبات إنترنت الأشياء الناشئة، تقدم العديد من الشركات ابتكارات للاتصال وتوسيع نطاق العمليات عن بعد، مما يؤدي إلى تحقيق تطبيقات إنترنت الأشياء في الوقت الحقيقي والآمنة وذات النطاق الترددي الثقيل تؤتي ثمارها. على سبيل المثال، في سبتمبر من العام الماضي، كشفت شركة Silicon Labs، الشركة الرائدة في مجال الابتكار اللاسلكي الآمن والذكي من أجل عالم متصل بشكل أفضل، عن مجموعة من الحلول المبتكرة التي وسعت بشكل كبير نطاقها القائم على قابلية التشغيل البيني، ودعم البروتوكولات المتعددة، والآمن بقوة مع حلول جديدة لتعزيز الإنجازات والأنماط التي تحدد إنترنت الأشياء، مثل Amazon Sidewalk وMatter وWi-SUN وWi-Fi 6.
لفهم النماط الرئيسية، قم بتنزيل عينة من التقرير
تحميل PDF
من المتوقع أن تمتلك منطقة آسيا والمحيط الهادئ حصة كبيرة من السوق
- من المتوقع أن تتمتع منطقة آسيا والمحيط الهادئ بمكانة قوية في سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة العالمية خلال الفترة المتوقعة. تعد الصين وكوريا الجنوبية والهند من الدول الرئيسية التي تدفع نمو السوق في منطقة آسيا والمحيط الهادئ. تعمل صناعة الإلكترونيات الاستهلاكية والسيارات المتزايدة بشكل أساسي على زيادة الطلب على ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة في دول آسيا والمحيط الهادئ.
- علاوة على ذلك، تقوم العديد من المنظمات بإنشاء مراكز بيانات في هذه المنطقة، مما سيعمل أيضًا على زيادة الطلب على سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة. ستقود الدول النامية، مثل الهند والصين واليابان، نمو السوق في هذه المنطقة بسبب تزايد خادم المؤسسات ومراكز البيانات والذكاء الاصطناعي والبنية التحتية المتصلة.
- وتقوم الصين بتطوير صناعة الدوائر المتكاملة المحلية وتخطط لإنتاج المزيد من الرقائق. كما يعد التواجد الكبير للمصنعين في المنطقة عاملاً رئيسياً مساهماً في السوق. تعد الصين موطنًا للعديد من المسابك العالمية التي تتمتع بنفوذ متزايد في قطاع أشباه الموصلات العالمي.
- تعمل الاستثمارات المتزايدة في الشركات المصنعة القائمة على تكنولوجيا ReRAM على تعزيز معدل نمو السوق. على سبيل المثال، نمت شركة Xinyuan Semiconductor، التي تركز على البحث والتطوير لمنتجات الذاكرة الجديدة من ReRAM والسلع المشتقة المرتبطة بها، لتصبح الشركة الرائدة في مجال تكنولوجيا الذاكرة الجديدة في الصين.
- علاوة على ذلك، في مارس 2022، كشفت شركة Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited عن إصدار MB85AS12MT، وهو عبارة عن ReRAM بسرعة 12 ميجابت مع أعلى سعة في خط إنتاج ReRAM من Fujitsu. هذا الاختراع الجديد عبارة عن وحدة تخزين غير متطايرة بسعة ذاكرة عالية تصل إلى 12 ميجابت في حجم حزمة مضغوط يبلغ حوالي 2 مم × 3 مم.
لفهم الأنماط الجغرافيةة، قم بتنزيل عينة من التقرير
تحميل PDF
نظرة عامة على صناعة ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
يتميز سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM) بمنافسة معتدلة ويتكون من العديد من اللاعبين الرئيسيين. يعد اللاعبون في السوق مثل Rambus Inc. وPanasonic Corporation وAdesto Technologies وFujitsu Ltd وCrossbar Inc.، من بين شركات أخرى، من بين الشركات الكبرى العاملة في السوق. يركز هؤلاء اللاعبون الرئيسيون على توسيع طاقتهم الإنتاجية والاستفادة من المبادرات التعاونية الإستراتيجية لزيادة حصتهم في السوق وربحيتهم.
في نوفمبر 2022، أطلقت شركة Infineon Technologies تقنية الذاكرة غير المتطايرة (NVM) من ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RRAM) من TSMC في جيلها التالي من وحدات التحكم الدقيقة في السيارات. RRAM هي تقنية فلاش مضمنة ناشئة لوحدات التحكم الدقيقة التي تتوسع إلى تقنيات معالجة 28 نانومتر وما بعدها مع الموثوقية اللازمة لتصميمات السيارات. تعد هذه التقنية أكثر حصانة ضد التداخل وتتيح الكتابة الحكيمة دون الحاجة إلى المسح مع التمتع بأداء التحمل والاحتفاظ بالبيانات مقارنة بتقنية ذاكرة الفلاش الحالية.
في أكتوبر 2022، أعلنت شركة Weebit Nano Limited، وهي شركة مطورة لتقنيات ذاكرة الجيل التالي لصناعة أشباه الموصلات في جميع أنحاء العالم، أنها أكملت التأهيل التكنولوجي الكامل لوحدة ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (ReRAM) الخاصة بها والتي يتم تصنيعها بشكل أساسي من قبل شريكها في البحث والتطوير. CEA-ليتي. يعد هذا أول تأهيل كامل على الإطلاق لتقنية Weebit ReRAM، وهي خطوة حاسمة يجب إكمالها لكل منتج من منتجات أشباه الموصلات في كل عملية مستهدفة جديدة.
رواد سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
-
Panasonic Corporation
-
Adesto Technologies
-
Fujitsu Ltd
-
Crossbar Inc.
-
Rambus Inc.
- *تنويه: لم يتم فرز اللاعبين الرئيسيين بترتيب معين
هل تحتاج إلى مزيد من التفاصيل حول لاعبي السوق والمنافسين؟
تحميل عينة
أخبار سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
- فبراير 2022 ذكرت شركة Intrinsic Semiconductor Technologies أنها نجحت في توسيع نطاق أجهزة ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة القائمة على أكسيد السيليكون (RRAM). لقد أظهروا خصائص الأداء الكهربائي، والتي قد تمكن من استخدامها كذاكرة مدمجة عالية الأداء ومنخفضة التكلفة وغير متطايرة في الأجهزة المنطقية في عقد المعالجة المتقدمة. تم توسيع أجهزة RRAM الخاصة بالشركة إلى أبعاد 50 نانومتر. وقالت الشركة إن الأجهزة أظهرت سلوك تحويل ممتاز، وهو أمر أساسي لاستخدامها كجيل جديد من ذاكرة الحالة الصلبة غير المتطايرة.
- يناير 2022 كشفت شركة Fujitsu Semiconductor Memory Solution Limited عن توفر 8Mbit FRAM MB85RQ8MLX التي تتميز بواجهة Quad SPI، وهي أعلى كثافة في خط إنتاج FRAM لاتصال SPI من Fujitsu.
تجزئة صناعة ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (ReRAM أو RRAM) هي ذاكرة كمبيوتر غير متطايرة للوصول العشوائي تعمل على مبدأ تغيير المقاومة عبر مادة صلبة عازلة. تعتمد ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة على تطبيق وظيفة الذاكرة عن طريق تغيير مقاومة المادة بين الحالة العالية والمنخفضة.
يتم تقسيم سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة حسب التطبيق (المضمن والمستقل)، والمستخدم النهائي (الصناعي/إنترنت الأشياء/الأجهزة القابلة للارتداء/السيارات، SSD/مراكز البيانات/محطات العمل)، والجغرافيا (الأمريكتان وأوروبا والصين واليابان وآسيا والمحيط الهادئ ((باستثناء الصين واليابان)).يتم توفير أحجام السوق والتوقعات من حيث القيمة (مليون دولار أمريكي) لجميع القطاعات المذكورة أعلاه.
| طلب | مضمن (الدوائر المرحلية التناظرية، MCU/SoC/ASIC/ASSPs، الحوسبة داخل الذاكرة) |
| مستقلة (ذاكرة سريعة/موثوقة، وتخزين التعليمات البرمجية/البيانات، والتخزين منخفض زمن الوصول، والذاكرة المستمرة) | |
| المستخدم النهائي | الصناعة/إنترنت الأشياء/الأجهزة القابلة للارتداء/السيارات |
| SSD/مراكز البيانات/محطات العمل | |
| جغرافية | الأمريكتين |
| أوروبا | |
| الصين | |
| اليابان | |
| آسيا والمحيط الهادئ (باستثناء الصين واليابان) |
هل تحتاج إلى منطقة أو شريحة مختلفة؟
تخصيص الآن
الأسئلة الشائعة حول أبحاث سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM).
ما هو حجم سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة (RAM) الحالي؟
من المتوقع أن يسجل سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة معدل نمو سنوي مركب قدره 29.90٪ خلال الفترة المتوقعة (2024-2029)
من هم البائعين الرئيسيين في نطاق سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة؟
Panasonic Corporation، Adesto Technologies، Fujitsu Ltd، Crossbar Inc.، Rambus Inc. هي الشركات الكبرى العاملة في سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة.
ما هي المنطقة الأسرع نموًا في سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة؟
من المتوقع أن تنمو منطقة آسيا والمحيط الهادئ بأعلى معدل نمو سنوي مركب خلال الفترة المتوقعة (2024-2029).
ما هي المنطقة التي لديها أكبر حصة في سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة؟
في عام 2024، ستستحوذ أمريكا الشمالية على أكبر حصة سوقية في سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة.
ما هي السنوات التي يغطيها سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة؟
يغطي التقرير حجم السوق التاريخي لسوق ذاكرة الوصول العشوائي للسنوات 2019 و 2020 و 2021 و 2022 و 2023. ويتوقع التقرير أيضًا حجم سوق ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة للسنوات 2024 و 2025 و 2026 و 2027 و 2028 و 2029.
تقاريرنا الأكثر مبيعًا
Popular Semiconductors Reports
Popular Technology, Media and Telecom Reports
تقرير صناعة ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة
إحصائيات الحصة السوقية لذاكرة الوصول العشوائي المقاومة وحجمها ومعدل نمو الإيرادات لعام 2024، التي أنشأتها تقارير صناعة Mordor Intelligence™. يتضمن تحليل ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة توقعات السوق حتى عام 2029 ونظرة عامة تاريخية. احصل على عينة من تحليل الصناعة هذا كتقرير مجاني يمكن تنزيله بصيغة PDF.
