| فترة الدراسة | 2019 - 2029 |
| السنة الأساسية للتقدير | 2023 |
| CAGR | 4.00 % |
| أسرع سوق نمواً | آسيا والمحيط الهادئ |
| أكبر سوق | أمريكا الشمالية |
| تركيز السوق | قليل |
اللاعبين الرئيسيين*تنويه: لم يتم فرز اللاعبين الرئيسيين بترتيب معين |
تحليل سوق الترانزستورات من الجيل التالي
من المتوقع أن ينمو سوق ترانزستورات الجيل التالي بمعدل نمو سنوي مركب قدره 4٪ خلال الفترة المتوقعة. ويرجع ذلك في المقام الأول إلى الزيادة في سوق الالكترونيات الاستهلاكية. يوجد مليار ترانزستور في أحدث الهواتف الذكية المتوفرة في السوق، مما يضمن تشغيلًا أسرع للأجهزة. وفقًا لـ IBEF، تجاوزت إيرادات سوق الهواتف الذكية في الهند 38 مليار دولار أمريكي مؤخرًا، مع نمو بنسبة 27٪ على أساس سنوي. بالإضافة إلى ذلك، قامت شركة Xiaomi، وهي شركة رائدة في مجال الهواتف الذكية، بشحن 39.5 مليون جهاز في الربع الثاني من عام 2022.
- تمثل مواد أشباه الموصلات أحد الابتكارات الهامة في صناعة الإلكترونيات. يمكن أن يُعزى ذلك إلى قدرتها على الحركة الإلكترونية العالية وحدود درجات الحرارة الواسعة واستهلاك الطاقة المنخفض. وفقًا لـ SEMI، وصلت المبيعات العالمية لإجمالي معدات تصنيع أشباه الموصلات من قبل الشركات المصنعة للمعدات الأصلية إلى رقم قياسي قدره 117.5 مليار دولار أمريكي في عام 2022، بارتفاع بنسبة 14.7٪ عن أعلى مستوى سابق للصناعة البالغ 102.5 مليار دولار أمريكي في عام 2021، ومن المتوقع أن تزيد بمقدار 120.8 مليار دولار أمريكي في عام 2023.
- إن النطاق المتزايد للميزات المتقدمة في الأجهزة الاستهلاكية يزيد أيضًا من الحاجة إلى معالجة سريعة وفي الوقت الفعلي. علاوة على ذلك، مع ظهور إنترنت الأشياء، أصبحت ميزات مثل الذكاء الاصطناعي وتحليلات البيانات ونقل البيانات في الوقت الفعلي ومعالجتها ضرورة أساسية لأي أجهزة متقدمة، مما يخلق فرصة هائلة لبائعي السوق الذين تمت دراستهم. علاوة على ذلك، عرضت TSMC تقنية عملية التصنيع القادمة في ندوة التكنولوجيا في أمريكا الشمالية لعام 2022 للشركة، مع تسليط الضوء على تفاصيل الجيل التالي من عقدة 2 نانومتر، المعروفة داخليًا باسم N2. ستبدأ الشركة في الإنتاج بعقدة 3 نانومتر في نهاية عام 2022.
- علاوة على ذلك، في أبريل 2022، ابتكر العلماء ما يعتقدون أنه أول ترانزستور مغناطيسي كهربائي يمكن أن يساعد في جعل الإلكترونيات أكثر كفاءة في استخدام الطاقة. إلى جانب الحد من استهلاك الطاقة لأي إلكترونيات دقيقة تتضمنها، يمكن لتصميم الفريق تقليل عدد الترانزستورات اللازمة لتخزين بيانات محددة بنسبة تصل إلى 75 بالمائة مما يؤدي إلى أجهزة أصغر. ويمكنه أيضًا تقديم ذاكرة مصيدة فولاذية للإلكترونيات الدقيقة التي تتذكر بالضبط المكان الذي يغادر فيه المستخدمون، حتى بعد إيقاف تشغيله أو فقدان الطاقة فجأة.
- علاوة على ذلك، فإن العديد من اللاعبين في السوق يتجهون نحو استخدام أوراق النانو في عملية التصنيع الخاصة بهم. على سبيل المثال، في يونيو 2022، كشفت شركة تصنيع الرقائق التايوانية TSMC عن تفاصيل عقدة عملية الإنتاج التي طال انتظارها بدقة 2 نانومتر - والتي من المقرر أن تصل في عام 2025 - والتي ستستخدم بنية ترانزستور صفائح النانو وتحسينات على تقنية 3 نانومتر. وفقا للشركة. من المتوقع أن تعمل الأجيال الأحدث من رقائق أشباه الموصلات السيليكونية على زيادة السرعة. وستكون أكثر كفاءة في استخدام الطاقة مع تقلص عقد العملية واستمرار صناعة التكنولوجيا في النضال من أجل التمسك بقانون مور.
- علاوة على ذلك، يؤثر ما بعد كوفيد 19 على القدرة الإنتاجية والتصنيعية لصناعة أشباه الموصلات والمكونات الإلكترونية الأخرى. على سبيل المثال، في يونيو 2022، وفقًا لمصادر في الصحافة الصينية، أجبر إغلاق أوميكرون في شنتشن شركة Huaqiangbei، أحد أكبر أسواق الإلكترونيات في العالم، على الإغلاق جزئيًا مرة أخرى. يقع Huaqiangbei، وهو مركز لتوريد أشباه الموصلات والهواتف المحمولة وغيرها من الأجهزة الإلكترونية، في منطقة فوتيان في شنتشن. وفقًا لوسائل الإعلام المالية Cailianshe، أوقف بعض البائعين في Huaqiangbei عملياتهم مؤقتًا حيث كثفت Shenzhen الإجراءات للسيطرة على انتشار فيروس Omicron Covid-19 شديد العدوى. يشمل هؤلاء البائعون المتجرين الأول والثاني لشركة HuaqiangElectronics World.
اتجاهات سوق الترانزستورات من الجيل التالي
زيادة اعتماد الترانزستور عالي الحركة للإلكترون (HEMT)
- تنتج الترانزستورات عالية الحركة للإلكترون مكاسب عالية، مما يجعل هذه الترانزستورات مفيدة جدًا كمكبرات صوت. يمكنهم تبديل السرعات بسرعة. ويتم إنتاج قيم الضوضاء الضحلة لأن الاختلافات الحالية في هذه الترانزستورات منخفضة نسبيًا.
- تعمل العديد من الشركات على تطوير أجهزة HEMT التي تعمل بترددات أعلى من الترانزستورات التقليدية. على سبيل المثال، في نوفمبر 2022، أعلنت شركة Nanoscience Technology عن جهاز GaN HEMT جديد منخفض RDS(on) 650V E-mode. في حزمة 8x8 DFN القياسية، تتمتع ترانزستورات الطاقة INN650D080BS بمقاومة تبلغ 80 مترًا (60 مترًا نموذجيًا)، مما يتيح تطبيقات طاقة أعلى مثل معماريات Totem Pole LLC أو شواحن البطاريات السريعة.
- على سبيل المثال، في سبتمبر 2022، أطلقت شركة Ampleon ترانزستور CLL3H0914L-700 GaN-SiC الجديد عالي الحركة للإلكترونات. تم تحسين ترانزستور GaN القوي هذا لعمليات تنفيذ الرادار حيث يلزم عرض النبضة الطويلة ودورات الخدمة العالية. تم تصميم الترانزستور لتحقيق ما يزيد عن 700 واط من طاقة الخرج القصوى من ترانزستور واحد أثناء التشغيل بجهد 50 فولت مع كفاءة رائدة في الصناعة تزيد عن 70%، بالإضافة إلى تطويره حراريًا لتطبيقات النبضات الطويلة، مثل عرض النبضة (~2 ميلي ثانية) ودورات العمل 20٪.
- علاوة على ذلك، فإن الطلب المتزايد على الإلكترونيات الاستهلاكية وقابلية تطبيق الترانزستورات عالية الحركة الإلكترونية تدفع نمو السوق. وفقًا لـ IBEF، بلغت قيمة صناعة الأجهزة والإلكترونيات الاستهلاكية الهندية 9.84 مليار دولار أمريكي مؤخرًا، ومن المتوقع أن تتضاعف لتصل إلى 1.48 كرور روبية هندية (21.18 مليار دولار أمريكي) بحلول عام 2025. وستؤدي مثل هذه التطورات في الإلكترونيات الاستهلاكية إلى زيادة نمو السوق المدروس..
- علاوة على ذلك، أعلنت شركة STMicroelectronics مؤخرًا عن عائلة جديدة من أجزاء GaN المعينة STi2GaN، والتي تعني ST Intelligent وIntegrated GaN. تستخدم القطع تقنية التغليف الخالية من الأسلاك من ST لتوفير المتانة والموثوقية. تهدف عائلة المنتجات الجديدة إلى الاستفادة من كثافة الطاقة العالية وكفاءة GaN لتقديم مجموعة من أجهزة الترانزستور عالية الحركة الإلكترونية (HEMT) بجهد 100 و650 فولت.
لفهم النماط الرئيسية، قم بتنزيل عينة من التقرير
تحميل PDF
منطقة آسيا والمحيط الهادئ تشهد نموًا كبيرًا في السوق
- تعد منطقة آسيا والمحيط الهادئ مركزًا للإلكترونيات حيث يتم تصنيع مليارات الأجهزة الإلكترونية سنويًا للاستهلاك، وتحديدًا في هذه المنطقة. ومع ذلك، تلعب منطقة آسيا والمحيط الهادئ دورًا مهمًا في تصدير المكونات الإلكترونية إلى جميع أنحاء العالم. يعد النمو السريع في سوق الإلكترونيات الاستهلاكية في هذه المنطقة عامل النمو الرئيسي لمنطقة آسيا والمحيط الهادئ في سوق ترانزستورات الجيل التالي العالمي.
- علاوة على ذلك، فإن الاقتصادات النامية في المنطقة، مثل الصين واليابان، لديها قواعد ضخمة لتصنيع الإلكترونيات ولديها القدرة على أن تصبح لاعبين مهمين في سوق الترانزستورات. علاوة على ذلك، ستركز هواتف الجيل القادم بشكل كامل على تحسين أداء الهواتف ذات المواصفات الأفضل. ومن المتوقع أن يؤدي دمج المزيد من الترانزستورات إلى توجيه الهواتف الأصغر حجمًا ذات المعالجة الأسرع، والتي تلبي احتياجات المستهلكين بشكل مثالي. وفقًا لـ IBEF، ارتفعت شحنات الهواتف الذكية المصنوعة في الهند بنسبة 7٪ على أساس سنوي في الربع الأول من عام 2022 لتصل إلى أكثر من 48 مليون وحدة، بينما تم شحن أكثر من 190 مليون هاتف ذكي مصنوع في الهند.
- وفقًا لـ IBEF، تستهدف السياسة الوطنية للإلكترونيات 2019 إنتاج مليار هاتف محمول بقيمة 190 مليار دولار أمريكي بحلول عام 2025، منها 600 مليون هاتف محمول بقيمة 100 مليار دولار أمريكي من المحتمل أن يتم تصديرها.
- علاوة على ذلك، جعلت الصين من نمو صناعة أشباه الموصلات عنصرا رئيسيا في أجندة صنع في الصين 2025 لتغيير هذا الوضع. وتعتزم الصين زيادة حصتها في سوق الإلكترونيات في حين يلبي إنتاج الرقائق المحلي 80% من الطلب المحلي على العديد من الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر الشخصية وغيرها من الأجهزة التي يستخدمها مواطنوها البالغ عددهم 1.4 مليار نسمة يوميا. ومن المتوقع أن تدعم كل هذه العناصر توسع السوق.
- علاوة على ذلك، تضم المنطقة العديد من اللاعبين في سوق أشباه الموصلات، مثل Samsung وIntel وTSMC. وقد أقرت هذه الشركات أنه بدءًا من عام 2023، فإن إنتاج الأجهزة المنطقية باستخدام أجيال تكنولوجيا 3 نانومتر أو 2 نانومتر سيتحول تدريجيًا من معماريات ترانزستور FinFET العمود الفقري إلى معماريات تشبه صفائح النانو.
- علاوة على ذلك، في أبريل 2022، ستستحوذ SK Group، وهي ثالث أكبر تكتل في كوريا الجنوبية، على Yes Powertechnix، الشركة المصنعة المحلية الوحيدة لأشباه موصلات الطاقة القائمة على مكون من السيليكون والكربيد (SiC)، والتي تظهر كمكون رئيسي في السيارات الكهربائية، كجزء من جهد على مستوى المجموعة لتعزيز أعمالها المتعلقة بالبطاريات. وقالت شركة SK Inc. إنها ستشتري حقوق الإدارة ومبلغ إضافي قدره 120 مليار وون كوري (95 مليون دولار أمريكي) للاستحواذ على 95.8% من Yes Powertechnix. علاوة على ذلك، استثمرت الشركة مؤخرًا مبلغ 26.8 مليار وون كوري للاستحواذ على ملكية 33.6% في Yes Powertechnix. ومثل هذا التطور قد يغذي الطلب في المنطقة.
لفهم الأنماط الجغرافيةة، قم بتنزيل عينة من التقرير
تحميل PDF
نظرة عامة على صناعة الترانزستورات من الجيل التالي
يتميز سوق الترانزستورات من الجيل التالي بقدرة تنافسية عالية. تمر صناعة أشباه الموصلات نفسها بمرحلة التخصص. تاريخيًا، ركزت الصناعة على إنتاج شرائح الكمبيوتر التي يمكنها أداء العديد من الوظائف العامة. كانت هذه الرقائق مرتبطة ببعضها البعض إلى حد ما. ولكن اليوم، أصبحت تطبيقات أشباه الموصلات أكثر دقة وتنوعا، مما يؤدي إلى انتشار اللاعبين المتخصصين ذوي الخبرة المتخصصة في مختلف القطاعات. علاوة على ذلك، في هذه الصناعة، يقوم العديد من اللاعبين بالاستعانة بمصادر خارجية لوظائفهم باستثناء عدد قليل من اللاعبين الرئيسيين مثل شركة إنتل، التي تقوم بتصميم وتصنيع وتصنيع منتجات أشباه الموصلات. وهذا يجعل القطاع مرتبطًا ارتباطًا وثيقًا بسلاسل التوريد العالمية وجعل هذه الصناعة تنافسية بشدة وتعاونية بعمق.
- يونيو 2022 - قدمت شركة GaN Systems، الشركة متعددة الجنسيات في مجال أشباه موصلات الطاقة GaN (نيتريد الغاليوم)، ترانزستورًا جديدًا في المجموعة الأوسع من ترانزستورات الطاقة GaN في الصناعة. يعمل GS-065-018-2-L على توسيع مجموعة الترانزستورات عالية الأداء ومنخفضة التكلفة للشركة ويتميز بمقاومة أقل ومتانة مرتفعة وأداء حراري وتصنيف 850 فولت VDS (عابر).
رواد سوق الترانزستورات من الجيل التالي
-
NXP Semiconductors N.V.
-
Infineon Technologies AG
-
STMicroelectronics N.V.
-
Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)
-
Texas Instruments Incorporated
- *تنويه: لم يتم فرز اللاعبين الرئيسيين بترتيب معين
هل تحتاج إلى مزيد من التفاصيل حول لاعبي السوق والمنافسين؟
تحميل عينة
أخبار سوق الترانزستورات من الجيل التالي
- سبتمبر 2022 - أعلنت شركة EPC Power Conversion Corporation عن EPC2050، وهو ترانزستور GaN بقدرة 350 فولت بحد أقصى RDS(on) يبلغ 80 mΩ وتيار خرج نبضي قدره 26 أمبير. يبلغ قياس EPC2050 1.95 مم × 1.95 مم فقط، مما يجعل الحلول المستندة إلى EPC2050 أصغر بعشر مرات من الحلول التي تستخدم أجهزة السيليكون المكافئة.
- يوليو 2022 - أعلنت شركة Magnachip Semiconductor Corporation أن الشركة كشفت عن ترانزستور تأثير مجال أشباه الموصلات المعدنية وأشباه الموصلات بجهد 24 فولت (MOSFET) لبطاريات سماعات الأذن اللاسلكية. يعالج MOSFET 24V الجديد هدف مصممي البطاريات المتمثل في إطالة عمر البطارية بعد الشحن السريع عن طريق تقليل فقدان التوصيل. تمت زيادة كثافة الخلايا الأساسية لهذا المنتج الجديد بنسبة 30% مقارنة بالإصدار السابق، في حين تم تحسين تصميم الخلية الأساسية والإنهاء ومنصات المصدر لتقليل RDS(on) بنسبة 24%.
- مارس 2022 - أعلنت شركة NXP Semiconductors عن ترانزستورات طاقة RF GaN جديدة لأنظمة الهوائي النشط 32T32R باستخدام تقنية نيتريد الغاليوم (GaN) الأكثر تأخرًا. تكمل السلسلة الفريدة مجموعة NXP الحالية من حلول مضخم الطاقة المنفصلة GaN لأجهزة الراديو 64T64R، مما يحمي جميع نطاقات التردد الخلوي من 2.3 جيجا هرتز إلى 4.0 جيجا هرتز.
تجزئة صناعة ترانزستورات الجيل التالي
الترانزستور هو جهاز شبه موصل يعمل على تضخيم أو تبديل الإشارات الكهربائية والطاقة. يعد الترانزستور أحد اللبنات الأساسية للإلكترونيات الحديثة. تحلل الدراسة السوق لأنواع مختلفة من الترانزستورات التي تتطور وتستخدم مواد ناشئة غير السيليكون في عملية تصنيعها.
يتم تقسيم سوق ترانزستورات الجيل التالي حسب النوع (ترانزستور التنقل الإلكتروني العالي (HEMT)، وترانزستور الوصل ثنائي القطب (BJT)، وترانزستورات التأثير الميداني (FET)، وترانزستور الباعث المتعدد (MET)، والترانزستور الفعال في مجال أشباه الموصلات المعدنية ذات البوابة المزدوجة). صناعة المستخدم النهائي (الفضاء والدفاع، الصناعة، الاتصالات، الإلكترونيات الاستهلاكية)، والجغرافيا. يتم توفير أحجام السوق والتوقعات من حيث القيمة (مليون دولار أمريكي) لجميع القطاعات المذكورة أعلاه. يتم أيضًا تغطية تأثير Covid-19 على السوق ومكوناته المتأثرة ضمن نطاق الدراسة. علاوة على ذلك، تمت تغطية اضطراب العوامل التي تؤثر على توسع السوق في الاستطلاع المتعلق بالسائقين والقيود.
| حسب النوع | ترانزستور ذو حركة عالية للإلكترون (HEMT) |
| ترانزستور ثنائي القطب (BJT) | |
| ترانزستورات التأثير الميداني (FET) | |
| ترانزستور الباعث المتعدد (MET) | |
| الترانزستور الفعال ذو البوابة المزدوجة لأكسيد المعدن وأشباه الموصلات | |
| بواسطة صناعة المستخدم النهائي | الفضاء والدفاع |
| صناعي | |
| الاتصالات | |
| مستهلكى الكترونيات | |
| بواسطة الجغرافيا | أمريكا الشمالية |
| أوروبا | |
| آسيا والمحيط الهادئ | |
| أمريكا اللاتينية | |
| الشرق الأوسط وأفريقيا |
هل تحتاج إلى منطقة أو شريحة مختلفة؟
تخصيص الآن
الأسئلة الشائعة حول أبحاث سوق ترانزستورات الجيل التالي
ما هو حجم سوق ترانزستورات الجيل التالي الحالي؟
من المتوقع أن يسجل سوق ترانزستورات الجيل التالي معدل نمو سنوي مركب قدره 4٪ خلال الفترة المتوقعة (2024-2029)
من هم البائعون الرئيسيون في نطاق سوق الترانزستورات من الجيل التالي؟
NXP Semiconductors N.V.، Infineon Technologies AG، STMicroelectronics N.V.، Fairchild Semiconductor International, Inc. (ON Semiconductor Corp.)، Texas Instruments Incorporated هي الشركات الكبرى العاملة في سوق ترانزستورات الجيل التالي.
ما هي المنطقة الأسرع نموًا في سوق ترانزستورات الجيل التالي؟
من المتوقع أن تنمو منطقة آسيا والمحيط الهادئ بأعلى معدل نمو سنوي مركب خلال الفترة المتوقعة (2024-2029).
ما هي المنطقة التي لديها أكبر حصة في سوق ترانزستورات الجيل التالي؟
في عام 2024، ستستحوذ أمريكا الشمالية على أكبر حصة سوقية في سوق ترانزستورات الجيل التالي.
ما هي السنوات التي يغطيها سوق ترانزستورات الجيل التالي؟
يغطي التقرير حجم السوق التاريخي لسوق ترانزستورات الجيل التالي للسنوات 2019 و2020 و2021 و2022 و2023. ويتوقع التقرير أيضًا حجم سوق ترانزستورات الجيل التالي للسنوات 2024 و2025 و2026 و2027 و2028 و2029.
تقاريرنا الأكثر مبيعًا
Popular Electronics Reports
Popular Technology, Media and Telecom Reports
تقرير صناعة الترانزستورات من الجيل التالي
إحصائيات حصة سوق ترانزستورات الجيل التالي وحجمها ومعدل نمو الإيرادات لعام 2024، التي أنشأتها تقارير صناعة Mordor Intelligence™. يتضمن تحليل ترانزستورات الجيل التالي توقعات السوق حتى عام 2029 ونظرة عامة تاريخية. احصل على عينة من تحليل الصناعة هذا كتقرير مجاني يمكن تنزيله بصيغة PDF.
